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第7 章 光学光刻 第7 章 光学光刻 7.1 光刻概述 7.1 光刻概述 光源 曝光 光刻 曝光方式 刻蚀 评价光刻工艺可用三项主要的标准：分辨率、对准精度和 分辨率、对准精度 生产效率。 生产效率 光刻工艺流程 光刻工艺流程 涂光刻胶（正） 选择曝光 选择曝光 显影（第1 次图形转移） 刻蚀（第2 次图形转移） g 线：436 nm 紫外光（UV ） i 线：365 nm KrF 准分子激光：248 nm 深紫外光（DUV ） ArF 准分子激光：193 nm 光 源 极紫外光（EUV ），10 ~ 15 nm X 射线，0.2 ~ 4 nm 电子束 离子束 接触式 有掩模方式 接近式 反射 非接触式 投影式 全场投影 曝 光 折射 步进投影 方 扫描步进投影 式 矢量扫描 无掩模方式 光栅扫描 （聚焦扫描方式） 混合扫描 7.2 衍射 7.2 衍射 当一个光学系统中的所有尺寸， 如光源、反射器、透镜、掩模版上的 特征尺寸等，都远大于光源波长时， 可以将光作为在光学元件间直线运动 的粒子来处理。 但是当掩模版上的特征尺寸接近光源的波长时，就应该把 光的传输作为电磁波来处理，必须考虑衍射和干涉。由于衍射 的作用，掩模版透光区下方的光强减弱，非透光区下方的光强 增加，从而影响光刻的分辩率。 7.3 调制传输函数和光学曝光 7.3 调制传输函数和光学曝光 光 强 无衍射效应 有衍射效应 定义图形的调制传输函数MTF 为 调制传输函数MTF I I MTF max min I I max min 无衍射效应时，MTF = 1 ；有衍射效应时，MTF 1 。 光栅的周期（或图形的尺寸）越小，则MTF 越小；光