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2.2 半导体中的载流子 2.2.1 半导体中的能带 1.量子态和能级 电子运动的基本特点： （1）电子作稳恒运动，具有完全确定的能量。这种稳恒运动状态称为量子态，而且同一个量子态上只能有一个电子。 （2）在一定条件下，电子可以发生从一个量子态转移到另一个量子态的突变，这种突变称为量子跃迁。 Si中的量子态 制造半导体器件所用的材料大多是单晶体。单晶体是由靠得很紧密的原子周期性重复排列而成，相邻原子间距只有零点几纳米的数量级。 因此，半导体中的电子状态肯定和原子中的不同，特别是最外层的电子会有显著的变化。 但是，晶体是由分立的原子凝聚而成，两者的电子状态又必存在着某种联系。 2.半导体中的能带 原子的能级和晶体的能带 (1)孤立原子的能级 原子中的电子在原子核的势场和其它电子的作用下，它们分别在不同的能级上，形成了所谓电子壳层。 不同的支壳层的电子分别用1s；2s，2p；3s，3p，3d；4s···等符号表示，每一支壳层对应于确定的能量。 （2）原子结合成晶体的能级 当原子相互接近形成晶体时，不同原子的内外各电子壳层之间就有了一定程度的交叠。 相邻原子最外层交叠最多，内壳层交叠较少。 电子的共有化运动 原子组成晶体后，由于电子壳层的交叠，电子不再完全局限在某一个原子上，可以由一个原子转移到相邻的原子上去。因而，电子将可以在整个晶体中运动。这种运动称为电子的共有化运动。 注： （1）共有化运动的产生是由于不同原子的相似壳层间的交叠。 （2）只有最外层电子的共有化运动才显著。 能带 晶体中量子态的能级分成由低到高的许多组，分别和各原子能级相对应，每一组内包含大量的、能量很接近的能级。这样密集的能级在能级图中看上去就像一条带子，因此通常称为能带。 价带（满带）、导带（0K） 价带：把能量最高的价电子所占据的能带称为价带或满带。 导带：最低的没有被电子填充的能带。 禁带：两者之间称为禁带。 3. 杂质能级 杂质的补偿作用 半导体中同时存在施主杂质和受主杂质时，它们的共同作用会使载流子减少，这种作用称为杂质补偿。 在制造半导体器件的过程中，通过采用杂质补偿的方法来改变半导体某个区域的导电类型或电阻率。 下面讨论假设施主和受主杂质全部电离时，杂质的补偿作用。 ND表示施主杂质浓度，NA表示受主杂质浓度，n表示导带中电子浓度，p表示价带中空穴浓度。 利用杂质补偿作用，就可以根据需要用扩散或离子注入方法来改变半导体中某一区域的导电类型，以制成各种器件。 但是控制不当，会出现ND≈NA的现象。这时，施主杂质刚好能够填充受主能级，虽然杂质很多，但不能向导带和价带提供电子和空穴。 这种现象称为杂质的高度补偿。 常被误认为是高纯半导体。 n型半导体主要依靠电子导电，但同时还会存在少量的空穴。称电子为多数载流子（多子），空穴为少数载流子（少子）。 p型半导体主要依靠空穴导电，但同时还会存在少量的电子。称空穴为多数载流子（多子），电子为少数载流子（少子）。 2.2.2 多子和少子的热平衡 半导体中同时存在电子和空穴的根本原因： 是因为晶格的热振动使电子不断发生从价带到导带的热跃迁。 电子-空穴对的产生和复合 电子从价带跃迁到导带的结果是形成一对电子和空穴，因此电子从价带到导带的热跃迁称为电子-空穴对的产生过程。 当导带中的电子和价带中的空穴相遇时，电子可以从导带中落入价带的这个空的能级，这个过程称为电子-空穴的复合。 就复合的微观机构讲，复合过程大致可以分为两种： （1）直接复合：电子在导带和价带之间的直接跃迁，引起电子和空穴的直接复合； （2）间接复合：电子和空穴通过禁带的能级（复合中心）进行复合。 载流子复合时，一定要释放出多余的能量。放出能量的方法有三种： （1）发射光子。伴随着复合，将有发光现象，常称为发光复合或辐射复合； （2）发射声子。载流子将多余的能量传给晶格，加强晶格的振动； （3）将能量给予其它载流子，增加它们的动能，称为俄歇（Auger）复合。 1. 本征情况 本征就是指半导体中没有杂质而完全靠半导体本身提供载流子的理想情况。 本征半导体的电中性条件： 2. 电中性条件 施主浓度为ND的n型半导体电中性条件为： 受主浓度为NA的p型半导体电中性条件为：