第2章-集成电路工艺原理PPT.ppt

集成电路工艺原理 复旦大学微电子研究院 2003.8 於伟峰 第四章 扩散 (Diffusion) §4.1 引言 §4.2 扩散机理 §4.3 扩散方程及其解 §4.4 影响杂质分布的其他因素 §4.5 扩散工艺参量与扩散工艺条件的选择 §4.6 扩散方法 §4.7 扩散层质量检验 §4.8 扩散工艺常见的质量问题及分析 第四章 扩散 (Diffusion) §4.1 引言 一 半导体中的掺杂方法 合金法—杂质掺入到基片熔体中; 扩散法—固–固扩散、气–固扩散; 离子注入; 二 扩散法优点 1.通过对扩散温度、时间等工艺条件的准确调节来控制PN结的结深,并能获得均匀、平坦的结面; 2.通过对扩散条件的调节和选择来控制扩散层表面的杂质浓度及其分布,以满足不同的要求; 3.与氧化、光刻技术相结合形成硅平面工艺; 4.重复性好,均匀性好,适合大生产; §4.2 扩散机理 一 扩散的本质 微观粒子的一种极为普遍的热运动方式,是微观粒子热运动的统计结果。在集成电路工艺中，将一定数量和一定种类的杂质掺入硅片中的工艺。 　 扩散粒子总是从浓度高的地方向浓度低的地方移动;这种由粒子浓度梯度产生的粒子流密度(J)与粒子的浓度梯度(N)成正比,式中D为粒子的扩散系数， 菲克第一定律的数学表达式 三 杂质固溶度(dopant solid solubility) 固溶度(solid solubility):在一定温度下，杂质能溶硅中而不发生反应形成分凝相的最大浓度。杂质的最大固溶度是表面杂质浓度Ns的上限。 四 硅体内杂质原子的扩散机构 扩散最基本的两种机制 1 替位式扩散 杂质原子进入硅晶体以后，杂质原子沿着晶格空位跳跃前进的一种扩散； 替位式扩散机构的特征：杂质原子占据晶体晶格格点的正常位置，不改变晶体结构； 2 间隙式扩散 杂质原子在进入硅晶体之后，从一个原子的间隙到另一个原子间隙逐次跳跃前进的一种扩散； 间隙式扩散机构的特征：杂质原子只存在于晶体原子的间隙之中，扩散的速率一般较替位式要快； 3 有些杂质同时具有替位式和间隙式两种扩散结构，它们的有效扩散系数则由这两个独立的扩散系数权重结合给出； §4.3 扩散方程及其解 扩散是微观粒子作无规则热运动的统计结果, 这种运动总是由粒子浓度较高的地方向浓度 低的地方进行，而使得粒子的分子逐渐趋于 均匀。 一 扩散的宏观机制 C:杂质浓度， D:扩散系数, 单位：cm2/s. 负号表示扩散由高浓度处 向低浓度处进行的 J为单位时间内垂直扩散通过单位面积的粒子数 1，由费克第一定律 (Fick’s first law) J = –DN (1) 由于扩散结平行于硅表面，且结浅，(1)式可简化为 如果D是常数， 2，根据物质连续性的概念 (5)式即为扩散方程，称为费克第二定律；它把浓度分布和扩散时间及空间位置联系了起来；描述了扩散过程中，硅片中各点的杂质浓度随时间变化的规律； 二 扩散方程的解 恒定表面源扩散 (Constant Source) —预淀积(Predeposition) 有限表面源扩散 (Finite Source) —杂质推进(Drive in) 硅片表面的杂质浓度始终不变,这种扩散也叫预淀积扩散 (Predeposition diffusion) 1 恒定表面源扩散 杂质总量固定 (Finite Source) 2 有限表面源扩散 离子注入引入一定量的杂质总量； 在整个扩散过程中，已形成的扩散杂质总量作为扩散的杂质源，不再有新源补充 3 恒定表面源扩散方程的解 边界条件 (Boundary Condition) C( 0,t ) = Cs (杂质固溶度) t≧0 x = 0 时 C(∞,t) = 0 t≧0 x →∝时 起始条件 C(x, 0) = 0 t= 0 x 0时 式中，Cs是固定表面浓度, erf为误差函数，Erfc为余 误差函数 分布曲线的特点 硅片表面杂质浓度Cs始终保持不变，它与时间无关，只与扩散的杂质和温度有关； Cs和D主要取决于掺杂元素和扩散温度；其中Cs由杂质在硅内的固溶度决定，杂质的固溶度给扩散的表面杂质浓度设置了上限； 选定扩散杂质元素和扩散温度之后，Cs和D就定下来了，若再将t定下来，杂质分布也就确定了； 扩散时间由对分布的要求来定，随着t的增加，杂质扩散深度不断增加，杂质总量不断增多； 恒定表面源扩散时硅片内部的杂质数量 QT(t) 可见，在固溶度范围内:t↑, Q↑ 则， 以C（xj