第3章-晶体管应用电路(上半部分8学时)模拟电子技术及应用PPT.ppt

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第3章-晶体管应用电路(上半部分8学时)模拟电子技术及应用PPT

第3章 晶体管应用电路 (共20学时) 学习目标:   晶体管(即半导体三极管)是具有放大作用的半导体器件,它是各种类型放大电路中的重要组成部分。通过本章学习,主要要掌握以下内容: 上半部分(8学时): 1. 晶体管的基本特性及性能检测; 2. 晶体管放大电路的分析方法; 3. 共射、共集、共基三种放大器性能特点; 下半部分(12学时): 4. 多级放大器的分析; 5. 差分放大器原理; 6. 功率放大器结构与原理; 7. 场效应管放大器的结构与原理。 本章内容 3.1 三极管工作原理(4学时) 3.2 三极管共射放大器(2学时) 3.3 三极管共集与共基放大器(2学时) 3.4 多级放大器(2学时) 3.5 放大器主要性能参数的测试(2学时) 3.6 差分放大器(2学时) 3.7 低频功率放大器(2学时) 3.8 场效应管放大器 (4学时) 3.9 项目设计(放大电路的设计) 本章小结 3.1 三极管工作原理 3.1.1 结构类型与电流关系 晶体管由两个PN结构成,根据PN结连接方法的不同,晶体三极管分为PNP型和NPN型两种。 (a)PNP型结构与符号 (b)NPN型结构与符号 晶体三极管在实际应用时,总要将它的三个极组成一个输入端和一个输出端,其中一个极为输入、输出回路的公共端。 晶体管的各极电流关系: IE=IB+IC 2. 输出特性 晶体三极管的输出特性是指以基极电流iB(或发射结偏压uBE)为参变量时,集电极电流iC和集-射电压uCE之间的关系。 输出特性曲线可分为三个不同的工作区域:截止区、放大区和饱和区。  例3-1 如图3-7a所示电路,晶体三极管V为硅管,β=40,VCC=6V,RC=3kΩ,RB=62kΩ。输入电压uI为方波脉冲:低电平UIL=0V,高电平UIH=4V。画出输入电压为高、低电平时的等效电路,并求相应的输出电压uO。 图3-7 例3-1 (a)题图 (b)晶体三极管截止时等效电路  (c) 晶体三极管饱和时等效电路  例3-2 如图所示电路,晶体三极管V为硅管,β=50,VCC=12V,RC=3kΩ,RE=1kΩ。判断在下列情况下晶体三极管所处的工作状态:RB=10kΩ、150kΩ、300kΩ;并求出相应的开路电压Uo 。 图2-.8 例2-2  例3-2 如图所示电路,晶体三极管V为硅管,β=50,VCC=12V,RC=3kΩ,RE=1kΩ。判断在下列情况下晶体三极管所处的工作状态:RB=10kΩ、150kΩ、300kΩ;并求出相应的开路电压Uo 。 图2-.8 例2-2 3.1.3 晶体管的主要参数 1. 电流放大系数β 在放大区内,直流电流放大系数与交流电流放大系数基本相同. 2. 极间反向电流 1)反向饱和电流ICBO ,2)穿透电流ICEO =(1+β)ICBO 。 (a)         (b)            (c)             (d)  图3-9 晶体三极管的极间反向电流     (a)NPN管的ICBO (b)PNP管的ICBO (c) NPN管的ICEO  (d) PNP管的ICEO 3. 极限参数 极限参数是表征晶体三极管能够安全工作的临界条件,也是选择管子的依据。 (1)集电极最大允许电流ICM  (2)集电极最大允许功耗PCM  (3)反向击穿电压U(BR)CEO、U(BR)CBO、U(BR)EBO  根据三个极限参数可以确定晶体三极管的安全工作区。 图2-10 晶体三极管的安全工作区 几种常见晶体管的外形 3.1.4 晶体管的性能检测 一、管脚(B、C、E)的判别 1.基极(B)和类型的判别 将指针式万用表置于R×1K档,黑表笔(为万用表内部直流电源的正极)接到某一假设的三极管“基极”管脚上,红表笔(为万用表内部直流电源的负极)先后接到另外两个管脚,如果两次测得电阻值都很大(或都很小),而且对换表笔后两个电阻值又都很小(或都很大),则可确定假设的“基极”是正确的,若以上步骤所测得电阻值一大一小,则假设的“基极”是错误的,此时,要重新假设一个管脚为“基极”,重复上述过程。 基极(B)确定后,以黑表笔接基极,红表笔接另外两极,如果测得电阻值都很小,则三极管为NPN型,反之为PNP型。 2. 集电极(C)和发射极(E)的判别 以NPN型三极管为例,在基极以外的两个电极中任意假设一个为“集电极”,并在已确定的基极和假设的“集电极”中接入一个大电阻R如图2-8所示,(实测中也可用大姆指和食指接触两极,用人体电阻替代电阻R),将万用表的黑

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