第6章-电子能谱PPT.ppt

第六章 电子能谱 ●如:Ag元素的Auger电子能谱 a b c 弹 性 散 射 区 非弹性散射区 二次 电子区 灵敏度放大10倍的光电子能谱图 微分曲线 第六章 电子能谱 ●微分法是Auger 电子峰最常用的显 现方法。由于大多 数Auger电子微分 峰不对称，而且负 的比正的部分明显。 所以常用负极小值作为Auger电子能量的依据。 a b c 第六章 电子能谱 2.影响俄歇电子能谱的因素 ●Auger电子能谱除对固体表面进行元素定性分析外，还能够反映电荷转移、价电子能谱、等离子激发等三种化学效应。 （1）电荷转移 ●原子发生电荷转移,即发生了价态变化,从而引起原子内壳层能级变化；使Auger电子能谱峰发生化学位移。位移值一般在1~20eV。 第六章 电子能谱 ●例如：S2O32-中的两个S原子处在不同的价态，一个S为+6价，另一个S为-2价。实验测得两种价态不同的S之间的Auger峰的化学位移为：4.7eV。通过计算可以说明这种离子确实存在两种不同价态的硫。 第六章 电子能谱 ●由电荷转移影响Auger电子峰的位移值如果用?E表示，则： ?E =[低价态Auger电子的动能] -[高价态Auger电子的动能] 若为WXY Auger电子，设： 低价态Auger电子的动能= EW–EX–EY 高价态Auger电子的动能 =(EW+ ?W) –(EX + ?X) – (EY + ?Y) 第六章 电子能谱 ●式中: ?表示化学环境变化引起电子结合能的变化,下标W、X、Y分别表示产生俄歇电子涉及的3种不同的能级。 ?E =[EW–EX–EY] –[(EW+ ?W) –(EX + ?X) – (EY + ?Y)] = –?W + ?X + ?Y 第六章 电子能谱 ●对S2O32-来说，S元素产生的Auger电子为KL2L2，则其化学位移计算公式为： ?E = –?K + ?L2 + ?L2 ●其中， ?K 、 ?L2 、 ?L2等的价态变化引起的不同元素的各能级的电子结合能的位移数据，需要从光电子能谱图获得。也有专门的数据表供查阅。 第六章 电子能谱 ●本例：从教材P213表6.4不同氧化态结合能位移表中查得： S 的1s轨道：-2价(-2.0)和+6价S(+5.0)；2p轨道:-2价(-1.0)和+6价S(+5.0) 。 即： ?K = +5.0-(-2.0)=7.0eV， ?L2 = +5.0-(-1.0)=6.0eV。 第六章 电子能谱 ●按上面?E的计算公式可以计算出S的KL2L2 Auger电子的位移值是： ?E = - 7.0+6.0+6.0=5.0eV (与直接从Auger谱图上查取的4.7eV接近) ●上面的计算结果与Auger谱图上查取的结果比较可知， S2O32-的分子中确存在-2价和+6价两种价态的S原子。 第六章 电子能谱 （2）价电子谱 ●价电子谱不仅发生能量位移，而且因新化学键形成时电子重排，引起谱图形状的改变。据此，可以分析原子的价态。 Mn 在氧化前后的俄歇电子微分谱 543 590 637 540 587 636 553 648 Fe S S C C O O 谱图 A Mn氧化前谱图 谱图B Mn氧化后谱图 Mn Mn 电子结合能增大，俄歇电子能量减小 等离子激发峰 L3M2,3M2,3 L3M2,3M4,5 L3M4,5M4,5 第六章 电子能谱 §6-4 电子能谱的应用 ●光电子能谱（ESCA或PES）法的信息深度为0.5～5nm，可对大部分化合物进行非破坏性分析，绝对灵敏度可达10-18g。 对高纯物质的表面分析有独到之处。 ●用途★H、He以外的元素鉴定。★鉴别原子的氧化态和化合物结构。★精确测定电子结合能。★对材料表面能态进行分析。 第六章 电子能谱 ●俄歇电子能谱（AES）法的信息深度为0.5～20nm，主要用于除H、He元素以外的元素鉴定，对样品有一定的破坏作用。绝对灵敏度也可达10-18g。但仪器价格便宜，分析速度快，对表面分析应用更为广泛。 ●用途★表面本身及以下20nm的表面层分析。★表面成分分析。★薄膜组分及生长过程分析。★晶粒间界的分析。 第六章 电子能谱 一、X光电子能谱定性分析 1．根据内层电子结合能识谱 ●原子外层电子的能量会因形成的化合物不同而有差异，但内层电子能级基本保持原子状态，其结合能变化很小，可作为元素定性分析的依据。 第六章 电子能谱 元素 Li