光伏电池金 刚线wafer相关工艺技术与PERC简介(for-非技术部门).pptxVIP

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光伏电池金 刚线wafer相关工艺技术与PERC简介(for-非技术部门)

For 茂迪非技术部门内部员工,最好对常规工艺有一定的了解篇幅有限,不会面面俱到技术更新较快,部分信息已经过时或很快过时金刚线wafer相关技术与PERC简介纸上谈兵Benson.zhi2017/8数据多来自网上,部分是实验资料,不得外传:1、避免不必要的侵权;2、避免专业人士笑掉大牙 引言金刚线 Wafer DW相关工艺 PERC工艺 总结引言2014年?Diamond wire引言引言 引言金刚线 Wafer DW相关工艺 PERC工艺 总结金刚线wafer金刚线wafer砂浆切割与金刚线切割过程金刚线wafer两种金刚线结构:电镀金刚线和树脂金刚线金刚线wafer重点:成本下降幅度金刚线wafer砂浆切割与金刚线切割表面容貌金刚线wafer碱制绒单晶表面形貌与腐蚀时间的关系EFF提升0.1%左右金刚线wafer多晶酸制绒金刚线绒面与电性金刚线wafer多晶酸制绒拉力金刚线wafer砂浆wafer金刚线wafer金刚线切割多晶硅片市场份额金刚线wafer金刚线切割多晶硅片市场份额厂商JuneDec(2017 end plan)monthly capa(Mpcs)金刚线产出(Mpcs)占比%monthly capa(Mpcs)金刚线产出(Mpcs)占比%GCL2607027大海40820%6565100%旭阳581119%656092%荣德651523%704057%高佳6058%1005050%南玻27519%301033%环太50510%803746%晶樱10660%3030100%Tota74049266% 引言金刚线 Wafer DW相关工艺 PERC工艺 总结DW相关工艺多晶DW(diamond wafer)相关工艺(包含不限于):成本EFFCTM干法黑硅湿法黑硅预处理添加剂SMDDW相关工艺添加剂:绒面取决于损伤层DW相关工艺添加剂:挖孔促进剂蚀刻速度控制黑丝抑制剂动起来节奏基本一致慢下来中位数UocIscJscRsRshFFNCellIrev1Irev2BSL0.63608.96536.491.9647179.9318.560%0.040.05TEST0.63768.90136.231.8731880.1618.527%0.040.05DW相关工艺预处理:时创SMDDW相关工艺SMD预处理:贵,增加一站,未知是否成熟DW相关工艺时创预处理:增加一站,破片率高,0.5%以上,甚至1%PC吸笔吸破HF上货手放时破裂PC炉管内破裂DW相关工艺湿法黑硅:DW相关工艺湿法黑硅:MAE/MACE:metal-assisted chemical etching; MCCE:Metal-Catalyzed Chemical Etching通道DW相关工艺湿法黑硅:DW相关工艺湿法黑硅:DW相关工艺湿法黑硅:湿法制程调整 ( AgNO3 )+0.1%↑效率 :+0.4% ↑外观 :明显花片均匀绒面DW相关工艺湿法黑硅设备替代TX:槽式Total 27槽 (长度 24m )DW相关工艺湿法黑硅设备替代TX:链式DW相关工艺湿法黑硅之太湖条例:第二条 本条例适用于本省行政区域内太湖流域地表水体的污染防治。太湖流域包括太湖湖体,苏州市、无锡市、常州市和丹阳市的全部行政区域,以及句容市、高淳县、溧水县行政区域内对太湖水质有影响的河流、湖泊、水库、渠道等水体所在区域。第四十五条 太湖流域一、二、三级保护区禁止下列行为:(一)新建、改建、扩建化学制浆造纸、制革、酿造、染料、印染、电镀以及其他排放含磷、氮等污染物的企业和项目;(二)销售、使用含磷洗涤用品;(三)向水体排放或者倾倒油类、酸液、碱液、剧毒废渣废液、含放射性废渣废液、含病原体污水、工业废渣以及其他废弃物;(四)在水体清洗装贮过油类或者有毒有害污染物的车辆、船舶和容器等;(五)使用农药等有毒物毒杀水生生物;(六)向水体直接排放人畜粪便、倾倒垃圾;(七)围湖造地;(八)违法开山采石,或者进行破坏林木、植被、水生生物的活动;(九)法律、法规禁止的其他行为。DW相关工艺湿法黑硅其他:DW相关工艺干法黑硅:增加两站1、DW原硅片 2、酸制绒后 3、RIE后 4、后清洗 DW相关工艺干法黑硅:增加两站top viewSF6等离子含有F+,SF+,SF3+,SF5+等,加入O2后,等离子中含有O*。负压下,SFx+ (x≤5)、F+注入Si中,生成SiF4挥发掉。加入O2,O*与Si反应生成SiOx,由于Si–F键能 (129.3 kcal/mol)比Si–O (88.2 kcal/mol)大,SiOx与SFx+(x≤5)、F+反应生成SixOyFz。离子轰击下,一些SixOyFz离开Si,随后Si被SFx+(x≤5)和F+刻蚀。黑硅的多孔和针状结构在SF

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