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图（b）所示结构增加了具有公共水平方向电极的不透光的信息存储区。在正常垂直回扫周期内，具有公共水平方向电极的感光区所积累的电荷同样迅速下移到信息存储区。在垂直回扫结束后，感光区回复到积光状态。在水平消隐周期内，存储区的整个电荷图像向下移动，每次总是将存储区最底部一行的电荷信号移到水平读出器，该行电荷在读出移位寄存器中向右移动以视频信号输出。当整帧视频信号自存储移出后，就开始下一帧信号的形成。该CCD结构具有单元密度高、电极简单等优点，但增加了存储器。 光栅报时钟 二相驱动 输出寄存器 检波二极管 视频输出 垂直转移 寄存器 感光区 二相驱动 (c) 图(c)所示结构是用得最多的一种结构形式。它将图(b)中感光元件与存储元件相隔排列。即一列感光单元，一列不透光的存储单元交替排列。在感光区光敏元件积分结束时，转移控制栅打开，电荷信号进入存储区。随后，在每个水平回扫周期内，存储区中整个电荷图像一次一行地向上移到水平读出移位寄存器中。接着这一行电荷信号在读出移位寄存器中向右移位到输出器件，形成视频信号输出。这种结构的器件操作简单，但单元设计复杂，感光单元面积减小，图像清晰。 目前，面型CCD图像传感器使用得越来越多，所能生产的产品的单元数也越来越多，最多已达1024×1024像元。我国也能生产512×320像元的面型CCD图像传感器。 8.4.3 光敏晶体管 1. 光敏二极管 光敏二极管在电路中一般是处于反向工作状态。 光敏二极管的光照特性是线性的，适合检测等方面的应用。 RL 光 P N P N 光 P N R E + - If P N R E - + Is R E - + I 当光照射时，光敏二极管处于导通状态。 当光不照射时，光敏二极管处于截止状态。 P N 2. 光敏三极管 集电结一边做得很大，以扩大光的照射面积，且基极一般不接引线。 P P N b e c N N P e b c 普通三极管 IC IB e EB EC IE RC Rb c b N N P 光敏三极管 基区很薄，基极一般不接引线； 集电极面积较大。 IC e EC IE RC c N N P b 当集电极加上正电压，基极开路 时，集电结处于反向偏置状态。 当光线照射在集电结的基区时， 产生电子、空穴对，光生电子被 拉到集电极，基区留下空穴，使 基极与发射极间的电压升高，相当于给发射结加了正向偏压，使电子大量流向集电极，形成输出电流，且集电极电流为光电流的?倍。 基本工作线路： c b e RL 3. 光敏晶体管的主要特性 (1) 光谱特性 存在一个最佳灵敏度波长 20 40 60 80 100 400 800 1200 1600 入射光 波长/nm 锗 硅 相对灵敏度（%） 0 (2) 伏安特性 0 1 2 3 4 5 外加电压（V） 20 40 60 80 I（mA) 2500Lx 2000Lx 1500Lx 1000Lx 500Lx 与一般晶体管在不同的基极电流时的输出特 性一样。只需把光电流看作基极电流即可。 (3) 光照特性 1.0 2.0 3.0 200 400 600 800 1000 Lx 0 I(μA) 故光敏三极管既可做线性转换元件， 也可做开关元件 近似线性关系。但光照足够大时会出现饱和现象。 (4) 温度特性 暗电流（mA) 10 30 50 70 0 25 50 oC 200 400 100 300 500 光电流（ μ A) 10 30 50 70 0 oC 温度变化对光电流的影响很小，对暗电流的影响很大。故电子线路中应对暗电流进行温度补偿。 (5) 频率特性 减小负载电阻可以提高响应频率，但将使输出降低。故使用时要根据频率选择最佳的负载电阻。硅管的响应频率比锗管的好。 20 40 60 80 100 相对灵敏度（%） f(kHZ) 1 10 100 0 RL=1kΩ RL=10kΩ RL=100kΩ 8.5 新型光电传感器 8.5.1 高速光电二极管 1. PIN结光电二极管 P I N P、N间加了层很厚的高电阻率 的本征半 导体I。 P层做的很薄。 比普通的光电二极管施加较高的反偏压。 入射光照射在P层上， 由于P层很薄，大量的 光被较厚的I层吸收， 激发较多的载流子形 成光电流；又PIN结 光电二极管比PN结光 电二极管施加较高的反偏置电压，使其耗尽层加宽。当P型和N型半导体结合后，在交界处形成电子和空穴的浓度差别，因此，N区的电子要向P区扩散，P区空穴向N区扩散。 图8-28 PIN光电二极管 偏压 价带 导带 信号光 信号光 电极 电极 输出端 P I