张庆中课件24章节.pptVIP

* * 2.4 PN 结的击穿 雪崩倍增 隧道效应 热击穿 击穿现象 击穿机理： 电击穿 2.4.1 碰撞电离率和雪崩倍增因子 反向电压 可使被碰撞的价带电子跃迁到导带，从而产生一对新的电子空穴对，这就是 碰撞电离。碰撞电离主要发生在反偏 PN 结的耗尽区中。 电子（或空穴）在两次碰撞之间从电场获得的能量为 1、碰撞电离率 定义：一个自由电子（或空穴）在单位距离内通过碰撞电离而产生的新的电子空穴对的数目称为电子（或空穴）的 碰撞电离率，记为： 。 式中，A、B、m 为经验常数，可在表 2-1 中查到。 与电场 E 强烈有关，可用如下经验公式近似表示 2、雪崩倍增因子 定义：包括雪崩倍增作用在内的流出耗尽区的总电流与流入耗尽区的原始电流之比，称为 雪崩倍增因子，记为 M 。 同理，由于电子的碰撞电离在 dx 距离内新增的流出 ( x+dx ) 面的空穴数目为 单位时间内流过位于 x 处面上单位面积的空穴数目为 由于这些空穴的碰撞电