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- 2018-01-25 发布于浙江
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8半导体器件 电子技术课件
8. 3. 2 电流分配和放大原理 1. 三极管放大的外部条件 B E C N N P EB RB EC RC 发射结正偏、集电结反偏 PNP 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VCVB 从电位的角度看: NPN 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VCVB 2. 各电极电流关系及电流放大作用 IB(mA) IC(mA) IE(mA) 0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 0.001 0.70 1.50 2.30 3.10 3.95 0.001 0.72 1.54 2.36 3.18 4.05 结论: 1)三电极电流关系 IE = IB + IC 2) IC ?? IB , IC ? IE 3) ? IC ?? ? IB 把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变化的特性称为晶体管的电流放大作用。 3.三极管内部载流子的运动规律 B E C N N P EB RB EC IE IBE ICE ICBO 基区空穴向发射区的扩散可忽略。 发射结正偏,发射区电子不断向基区扩散,形成发射极电流IE。 进入P 区的电子少部分与基区的空穴复合,形成电流IBE ,多数扩散到
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