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半导体物理与器件5（二）
5.2 双极型晶体管的静态特性 一、基区区域：
各区域中的载流子分布 图(c)显示结上的电场强度分布，在中性区域中的少数载流子
分布可由无电场的稳态连续方程式表示：
为推导出理想晶体管的电流、电压表示式，需作下列五点
⎛ 2 ⎞ 发射区 基区 集电区
假设： d p p －p0 I I
D ⎜ n ⎟－ n n 0 E + C
（1）晶体管中各区域的浓度为均匀掺杂； p ⎜⎝ dx2 ⎠⎟ τp P n P 输出
V I V
（2 ）基区中的多子漂移电流和集基极反向饱和电流可以忽 其中D 和τ 分别表示少数载 EB B BC
略； p p E
流子的扩散系数和寿命。上式
（3 ）载流子注入属于小注入； 的一般解为
（4 ）耗尽区中没有产生-复合电流； x
（5 ）晶体管中无串联电阻。 p x p =+C x +C − x
n ( ) n 0 1 exp( ) 2 exp( ) (c)
L L
以 pnp为例，假设在正向偏压的状况下空穴由发射区注
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