数字电子技术基础简明教程第二章.pptVIP

CMOS反相器 开门电阻Ron:在保证反相器导通,输出为额定低电平的条件下,所允许的Ri的最小阻值叫开门电阻Ron.,通常Ron=2.5KΩ 关门电阻Roff:在保证反相器截止,输出高电平不低于额定高电平的90%的条件下,所允许的Ri的最大阻值叫关门电阻Roff., 通常Roff=700Ω. 2. 电流传输特性： iD +VDD B1 G1 D1 S1 + uI - uO TN TP B2 D2 S2 G2 VSS A B C D E F UTN VDD UTH UTP UNL UNH 0 uO / V uI / V A B C D E F 0 iD / mA uI / V UTH 电压传输特性 电流传输特性 AB、EF 段： TN、TP总有一个为 截止状态，故 iD ? 0 。 CD 段： TN、Tp 均导通，流过两管的漏极电流达到最大值 iD = iD（max) 。 阈值电压： UTH = 0.5 VDD （VDD = 3 ~ 18 V） 2. 3. 2 CMOS 与非门、或非门、与门和或门 A B TN1 TP1 TN2 TP2 Y 0 0 0 1 1 0 1 1 截 通 截 通 通 通 通 截 截 通 截 截 截 截 通 通 1 1 1 0 与非门 一、CMOS 与非门 uA +VDD +10V V SS T P1 T N1 T P2 T N2 A B Y uB uY A B 0 0 1 0 0 1 1 1 Y = 或非门 二、CMOS 或非门 uA +VDD +10V V SS T P1 T N1 T N2 T P2 A B Y uB uY A B TN1 TP1 TN2 TP2 Y 0 0 0 1 1 0 1 1 截 通 截 通 通 通 通 截 截 通 截 截 截 截 通 通 1 0 0 0 A B ≥1 0 0 1 0 0 1 1 1 三、CMOS 与门和或门 1. CMOS 与门 A B Y 1 +VDD V SS T P1 T N1 T P2 T N2 A B Y A B Y +VDD B1 G1 D1 S1 A TN TP B2 D2 S2 G2 VSS 2. CMOS 或门 Y 1 +VDD B1 G1 D1 S1 A TN TP B2 D2 S2 G2 VSS A B ≥1 A B Y ≥1 +VDD V SS T P1 T N1 T N2 T P2 A B Y 四、带缓冲的 CMOS 与非门和或非门 1. 基本电路的主要缺点 ① 电路的输出特性不对称： 当输入状态不同时，输出等效电阻不同。 ② 电压传输特性发生偏移，导致噪声容限下降。 2. 带缓冲的门电路 在原电路的输入端和输出端加反相器。 1 A B Y 与非门 或非门 同理 缓冲 或非门 与非门 缓冲 1 1 2. 3. 3 CMOS 与或非门和异或门 一、CMOS 与或非门 1. 电路组成： A B C D ≥1 Y A B C D Y 1 2. 工作原理： 由CMOS 基本电路(与非门和反相器)组成。 二、CMOS 异或门 1. 电路组成： A B Y 2. 工作原理： Y A B =1 由CMOS 基本电路(与非门)组成。 2. 3. 4 CMOS 传输门、三态门和漏极开路门 一、 CMOS传输门 (双向模拟开关) 1. 电路组成及符号： TP C VSS +VDD I O / u u O I / u u TN C I O / u u O I / u u TG 2. 工作原理： TN、TP均导通， TN、TP均截止， 导通电阻小(几百欧姆) 关断电阻大 ( ≥ 109 ?) (TG 门 — Transmission Gate) ① ② 二、CMOS 三态门 1. 电路组成 +VDD V SS T P2 T N1 T P1 A Y T N2 1 2. 工作原理 Y 与上、下都断开 TP2、TN2 均截止 Y = Z(高阻态 — 非 1 非 0) TP2、TN2 均导通 0 1 1 使能端 0 1 0 控制端低电平有效 (1 或 0) 3. 逻辑符号 或 Y A 1 EN Y A 1 EN EN 控制端高电平有效 ① ② 三、CMOS 漏极开路门 (OD门 — Open Drain) 1. 电路组成 B A 1 +V?DD Y B G D S TN VSS RD 外接 Y A B 符号 ① 漏极开路，工作时必须外接电源和电阻。 2. 主要特点 ② 可以实现线与功能： 输出端用导线连接起来实现与运算。 Y C D P1 P2 +V