2007同济大学电科课件 集成电路工艺 硅的晶体结构.pptVIP

Content 硅的晶体结构和硅单晶生长 氧化 扩散 离子注入 物理气相淀积 (PVD) 化学气相淀积 (CVD) 外延 光刻与刻蚀工艺 金属化与多层互连 工艺集成 1.2.3 堆积模型图 §1.5 杂质在硅中的溶解度 杂质在硅中的溶解度是集成电路和器件的制造过程中选择杂质的重要依据 固溶体：元素B溶入元素A中后仍保持元素A的晶体结构 固溶度：杂质在晶体中的最大溶解度 固溶体分类： 替位式固溶体 杂质占据格点位置 形成替位式固溶体必要条件： 溶质原子半径的大小接近溶剂原子半径，若溶质原子半径与溶剂原子半径相差大于15%，则可能性很小。 （几何有利因素） 大部分施主和受主杂质都与硅形成替位式固溶体 间隙式固溶体 杂质存在间隙中 §1.5 杂质在硅中的溶解度 连续固溶体（一种物质可无限溶解于另一种物质中）形成的必要条件： 几何有利因素 溶剂和溶质原子外部电子壳层结构相似和晶体结构的相似 施主（受主）杂质的溶解度，将随晶体中的受主（施主）杂质含量的增加而增大 某种施主（受主）杂质的存在会导致其它施主（受主）杂质的溶解度的下降 选择杂质的依据：杂质的固溶度是否大于所要求的表面浓度 §1.6硅单晶材料的制备 直拉法（Czochralski 法）单晶生长 绝大多数晶体的主流生产技术 区熔法单晶生长 用来生产高纯度的硅单晶 直拉法 直拉法是熔融态物质的结晶的过程 直拉法 需要的材料：电子级纯度的硅,将石英还原提纯至99.999999999% 生长系统:抽真空的腔室内放置坩埚（熔融石英），腔室回充保护性气氛，将坩埚加热至1500 ℃ 左右，籽晶（直径0.5cm,10cm长）降下来与熔料相接触 随着籽晶的提拉，生成柱状晶锭（直径可达300mm以上，长度一般1~2m) 提拉速度： 太大：大的热度梯度，造成晶片的大的热应力；晶体直径小 太低：点缺陷结团，形成大的缺陷；生产效率低 当拉出窄的、高完整度的区域（称为颈部）后，可降低熔料温度，减低提拉速度，放肩至所需要的直径 区熔法 需要籽晶，采用与直拉法类似的方法，将籽晶置于顶部，先拉出细颈，然后放慢拉速，降低温度放肩至较大直径。 缺点：很难引入浓度均匀的杂质 Wafer manufacture exercise 简答题 硅双层密排面特点 施主杂质、 受主杂质举例 选择杂质标准 answer 硅双层密排面的特点： {111}双层密排面面内原子结合力强，面间结合力弱 施主杂质、 受主杂质举例 施主杂质：如P, As等 受主杂质：如B,Ga等 选择杂质标准 杂质的固溶度大于需要的杂质的表面浓度 * * 第一章 硅的晶体结构与单晶生长 § 1.1 硅晶体结构的特点 § 1.2 晶向、晶面和堆积模型 § 1.3 硅晶体中的缺陷 § 1.4 硅中的杂质 § 1.5 杂质在硅晶体中的溶解度 § 1.6 硅单晶生长 1.1.1 晶胞 一、晶格 晶体由质点在三维空间中按一定规则周期重复性排列的结构 简单立方 体心立方 面心立方 §1.1硅晶体结构的特点 二、晶胞 300K时，硅的a=5.4305? ,锗的a=5.6463? 定义：最大限度地反映晶体对称性质的最小单元 硅晶胞（金刚石结构） 两套面心立方格子沿体心对角线位移四分之一长度套构而成 1.1.2 原子密度 顶角：1/8 ； 面心：1/2 ； 体心：1 硅晶胞:8/a3=5x1022/cm3 锗晶胞:8/a3=4.425x1022/cm3 一个硅晶胞中的原子数: 8*1/8+6*1/2+4=8 1.1.3 共价四面体 每个原子都处在正四面体的中心，其它四个原子位于四面体的顶点，每个原子与其相邻的原子之间形成共价键，共用一对价电子。 硅的晶体结构： 1.1.4 晶体内部的空隙 硅原子半径： rsi= =1.17? 硅原子体积: 单位原子在晶格中占有的体积： 空间利用率：硅原子体积/单位原子在晶 格中占有的体积 约为34% §1.2晶向、晶面和堆积模型 1.2.1 晶向 晶列：晶格中的原子处在的一系列方向相同的平行直线系 晶向：一族晶列所指的方向 晶向指数：[m1,m2,m3];m1,m2,m3 原子线密度：原子个数/所占长度 1.2.2 晶面 晶面：晶格中的原子处在的一系列彼此平行的平面系 晶面指数：相邻的两个平行晶面在坐标轴上的截距的倒数。 晶面指数：(h1,h2,h3）;{h1,h2,h3} 原子面密度：原子个数/所占面积 密堆积模型 密堆积类型 ABAB…..六角密积 ABCABC…..立方密积（fcc,bcc) 密堆积类型 硅晶体的堆积次序是AA′BB ′ CC ′AA ′ BB ′ CC ′ ··· 为双层密排面；密排面为（111