第6章-电子能谱.pptVIP

* * * * * * * * * 第六章 电子能谱 ●解释：从铑片和Rh2O3的XPS看出， Rh2O3的3d5/2峰位比Rh的高移了1.6eV(电荷转移)。 ▲从不同活性的铑催化 剂看出A、B两种活性 高的催化剂的3d5/2峰为 双峰，说明这两种催化 剂中存在2种不同价态 的Rh原子。 3d5/2 3d3/2 3d5/2 1.6eV 第六章 电子能谱 ▲将其与铑片和 Rh2O3的XPS比较知， 两种催化剂中同时存 在Rh(Ⅲ)和Rh(0价)。 Rh3+ Rh0 第六章 电子能谱 ▲同时发现，在A、 B两种催化剂中Rh2O3 占优势。 而活性低的C催化 剂谱峰显示为金属Rh 占了优势。 第六章 电子能谱 ●结论: 木炭载体上的铑催化剂的表面活性组分主要是Rh2O3中的高价Rh的作用；而0价的Rh 不具备催化活性。 第六章 电子能谱 四、俄歇电子能谱的应用 ●俄歇电子能谱(AES)也是一种表面分析技术,用于表面组分和深度的分析。AES和XPS一样，可以对样品中除H、He以外的所有元素进行定性、半定量和表面状态分析。 ● AES与XPS相比，具有灵敏、快速和表面深度成分分析的优点。 第六章 电子能谱 ● AES用于表面成分和深度分析时常用氩(Ar)离子溅射枪对样品表面进行溅射刻蚀，进而对表面不同深度的成分进行分析。 ◆Ar2+离子溅射枪 一种热阴极电子轰击式离子枪。电子碰撞氩气产生Ar2+，经电场聚焦后形成巨大冲击力的氩离子束，轰击样品表面，进行溅射，逐层剥离。 ◆用于各层的Auger电子能谱进行样品的成分和深度分析。 第六章 电子能谱 ●应用实例： 蒸发在硅片上的Ni-Cr合金的表面成分和不同深度的成分变化分析。 不同深度时样品的AES、成分变化图如下： 第六章 电子能谱 ●蒸发在硅 上的Ni-Cr 合金薄膜(厚 度15nm)的 AES图? (从上至下： a.未刻蚀 b.刻蚀10nm c.刻蚀20nm) 表面Auger a 电子能量/eV O O Si O Si P 第六章 电子能谱 ●蒸发在硅上 的Ni-Cr合金 深度分析图 a.未经处理 b.在大气中于 450℃加热30s 后的状态 a b 12.5nm 7.5nm 刻蚀深度/ nm 5 10 15 20 25 0 /nm 0 5 10 15 20 25 Ni(8.48eV)?2 Ni(8.48eV)?2 O?1 O(511eV) ?0.5 Cr(529eV) ?1 Cr(529eV) ?1 Si(52eV) ?0.5 Si(52eV)?0.5 Ar2+溅射枪刻蚀深度 第六章 电子能谱 ●除了上述应用外, 俄歇电子能谱还可用于摩擦学、金属脆性、半导体科学、金属腐蚀、吸附等研究领域。 ●参考书: 黄惠忠等编著.《表面化学分析》，上海：华东理工大学出版社，2007：243~274 第六章 电子能谱 §6-5 电子能谱仪器简介 ●电子能谱仪器主要由6部分构成： 真空系统 计接 算收 机与 控输 制出 激发源 进样系统 能量分析器 检测器 第六章 电子能谱 ●PNI550电子能谱仪简图 第六章 电子能谱 1.激发源(Excitation Source) 常用X激发源及其能量 镁靶X射线 MgKα 能量 1253.6 eV 铝靶X射线 AlKα 能量 1486.6 eV 铜靶X射线 CuKα 能量 8040.0 eV 钼靶X射线 MoKα 能量 17479.8 eV ●镁靶和铝靶X射线为低能X射线，铜靶和钼靶X射线为高能 X射线。（P227表6.7） 第六章 电子能谱 常用UV激发源及其能量（P227表6.8） He气体紫外射线枪 He(Ⅰ) 能量21.21eV λ=58.43nm He(Ⅱ) 能量40.8eV λ=30.38nm Ne气体紫外射线枪 Ne(Ⅰ) 能量16.85eV λ=73.59nm Ne(Ⅱ) 能量26.9eV λ=46.13nm 第六章 电子能谱 ●Auger电子能谱的