半导体器件的特性PPT.pptVIP

对硅管而言VCE≥1V 时，集电结已反向偏置， 并且内电场已足够大，且 基区很薄，可以把发射区 扩散到基区的电子绝大部 分拉入集电区。此时，再 增大VCE，只要VBE不变(从 发射区扩散到基区的电子数就一定)，IB也就不在 明显减小。就是说，VCE≥1V后的输入特性曲线 基本上是重合的。所以通常只画出VCE≥1V的一 条输入特性曲线就可以了。 第一章 半导体器件的特性 §1.4 双极型晶极管 三、晶体管的共射组态特性曲线 与二极管(正向特性) 一样，晶体管的输入特 性曲线亦为一指数曲， 也有一开启电压，硅管 约0.5V；锗管0.2V)。正 常工作时，VBE很小，硅 管约0.7V(锗管的约0.3V) 左右。 第一章 半导体器件的特性 §1.4 双极型晶极管 三、晶体管的共射组态特性曲线 2、输出特性曲线： 指基极电流IB为常 数时，集电极电流IC与 集射极电压VCE之间的 函数关系曲线，即 在IB取不同值时，可得出不同的曲线，所以晶体管 的输出特性是一个曲线簇，如图所示。 第一章 半导体器件的特性 §1.4 双极型晶极管 三、晶体管的共射组态特性曲线 以IB=20μA曲线为例分析： 当VCE从 0V升高到1V，IC 随VCE 的升高而很快增加。这是因为 VCE很小时，加在集电结的反向 电压很小，不能把发射区注入 基区的电子大部分拉过去；随着 VCE的增大，拉过去的电子急剧增多，IC 迅速增大。当VCE＞ 1V以后，曲线平坦，IC几乎不受的VCE的影响。这是因为VCE 增大到一定数值后，已有足够能力将发射区注入基区的电子几 乎全部拉过去，VCE再增大，IC几乎不变。此时IC主要由IB决定, 与VCE无关，这段特性称为恒流特性。若VCE继续增加, 大于某 一值时，IC将急剧增大，产生击穿现象。从输出特性曲线还可 看出，IB = 0 (相当于基极开路)时，IC = ICEO ≠ 0，这个电流就是在VCE作用下，从c极到e极的漏电流，也叫做穿透电流。 第一章 半导体器件的特性 §1.4 双极型晶极管 三、晶体管的共射组态特性曲线 通常把晶体管输出特性曲线分为三个工作区： 第一章 半导体器件的特性 §1.4 双极型晶极管 三、晶体管的共射组态特性曲线 A、截止区：即IB≤0的的区域，图中为IB=0特性曲线下的阴影 部分。该区特点：e结和 c结均处于反向偏置，晶体管失去 了放大能力；管子处于截止状态，IC = ICEO≈0；c极和e极 间等效阻抗很大，相当于断开的开关。 B、放大区：放大区内各条特性曲线比较平坦，近似为水平的 直线，表示当 IB 一定时，IC 的值基本上不随VCE而变化。 当基极电流有一个微小的变化量ΔIB时，在集电极相应会产 生较大的变化量ΔIC，比ΔIB 放大hfe倍，即有ΔIC = hfeΔIB。 该区特点：e结正向偏置， c结反向偏置，IC随IB变化。 C、饱和区：即图中虚线左边的阴影部分，由各条输出特性曲线 的上升部分构成。此区域内，不同IB值的各条特性曲线基本 上重叠在一起，表明在VCE较小时，管子的集电极电流IC基 本上不随基极电流IB而变化，称为饱和。一般认为，当VCE = VBE，即VCB= 0时，三极管达到临界饱和状态，当VCE＜ VBE时称为过饱和。三极管饱和时的管压降记为VCES。该区 特点: e结和c 结均处于正向偏置， 晶体管失去了放大能力；此时三 极管的饱和管压降VCES很小(一般 小功率硅管的VCES ＜0.4V)；c极 和e极间相当于接通的开关。 第一章 半导体器件的特性 §1.4 双极型晶极管 三、晶体管的共射组态特性曲线 四、晶体管的主要参数： 1、 电流放大倍数： 低频时hfe值不变，记为hfeo， 高频时hfe随 f的升高而减小； 图中 ：共射极截止频率； fT：特征频率。 第一章 半导体器件的特性 §1.4 双极型晶极管 四、晶体管的主要参数 二、二极管的伏安特性：