模拟电子技术基础PPT.ppt

模拟电子技术基础;1. 本课程的性质;模拟信号举例：;数字电路：处理数字信号的电子电路;;4 集成运算放大电路 ;* 认真听讲，有问题及时提出* 按时独立完成作业，答题须有解题步骤，一周交一次作业（每周二交） * 认真做好试验，充分利用实验来消化、理解课程的理论内容 ;课时安排： 总课时：64 学时 其中： 理论课：56学时 实 验：8学时;第一章 常用半导体器件;1.1 半导体基础知识;1.1.1 本征半导体;2、半导体的特殊性质; 制造半导体器件的半导体材料的纯度要达到99.9999999%，常称为“九个9”。 它在物理结构上呈单晶体形态。;惯性核; 硅和锗是四价元素，在原子最外层轨道上的四个电子为价电子。它们分别与周围的四个原子的价电子形成共价键。共价键中的价电子为这些原子所共有，并为它们所束缚，在空间形成排列有序的晶体。; 当本征半导体处于热力学温度0K和没有外界影响时，它的价电子束缚在共价键中，不存在自由运动的电子，此时它是良好的绝缘体。当温度升高或受到光的照射时，价电子能量增高，有的价电子可以挣脱原子核的束缚，而参与导电，成为自由电子。; 自由电子的定向运动形成了电子电流，空穴的定向运动形成空穴电流，它们的方向相反。只不过空穴的运动是靠相邻共价键中的价电子依次充填空穴来实现的。; 空穴的运动是靠相邻共价键中的价电子依次充填空穴来实现的。为了区别于自由电子的运动，就把价电子的运动虚拟为空穴运动，且运动方向相反。从这个意义上来说，可将空穴看成一个带正电的粒子。;本征半导体中的两种载流子;载流子的浓度;载流子的浓度; （1）空穴与电子成对出现。;1.1.2 杂质半导体; 一、N型半导体;(2) P型半导体;本征半导体中掺入微量杂质元素构成杂质半导体。;2、两种浓度不等的载流子： 多子——由掺杂形成（主要取决于掺入的杂质浓度） 少子——由热激发形成（主要取决于温度）;;1、PN结的形成; 在一块本征半导体在两侧通过扩散不同的杂质,分别形成N型半导体和P型半导体。此时将在N型半导体和P型半导体的结合面上形成如下物理过程:;在出现了空间电荷区后， 由于正负电荷间的相互作用， 在空间电荷区中形成了一个电场，称为内电场，其方向是 从带正电的N区指向带负电的P区。;扩散运动：由浓度高到浓度低 （多子的运动）;2、PN结的单向导电性; 外加的正向电压有一部分降落在PN结区，方向与PN结内电场方向相反，削弱了内电场。于是,内电场对多子扩散运动的阻碍减弱，扩散电流加大。扩散电流远大于漂移电流，可忽略漂移电流的影响，PN结呈现低阻性。; b、 PN结加反向电压时的导电情况; 外加的反向电压有一部分降落在PN结区，方向与PN结内 电场方向相同，加强 了内电场，内电场对 多子扩散运动的阻碍 增强，扩散电流大大 减小。此时PN结区的 少子在内电场的作用 下形成的漂移电流大 于扩散电流，可忽略 扩散电流，PN结呈现 高阻性; 在一定的温度条件下， 由本征激发决定的少子浓 度是一定的，故少子形成 的漂移电流是恒定的，基 本上与所加反向电压的大 小无关，这个电流也称为 反向饱和电流。 ; PN结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流，PN处于导通状态；;3、PN结的伏安特性及其表达式;PN结的伏安特性;4、 PN结的击穿特性及电容效应;反向击穿类型：; ;扩散电容示意图;1.2 半导体二极管;1.2.1 半导体二极管的几种常见结构;2、面接触型二极管—;　　按 PN 结结构分：有点接触型和面接触型二极管。 　　点接触型管子中不允许通过较大的电流，因结电容小，可在高频下工作。 　　面接触型二极管 PN 结的面积大，允许流过的电流大，但只能在较低频率下工作。;1.2.2 二极管的伏安特性;1、正向特性;2、反向特性; 在反向区，硅二极管和锗二极管的特性有所不同。 硅二极管的反向击穿特性比较硬、比较陡，反向饱和电流也很小；锗二极管的反向击穿特性比较软，过渡比较圆滑，反向饱和电流较大。