半导体基本知识及PN结的形成过程.docVIP

秦皇岛职业技术学校教案纸(正页) 模块 晶体二极管 课型 讲授 授课日期 课题 半导体基本知识及PN结的形成过程 教 学 目 标 知识目标 半导体基本知识，理解PN结的形成过程； 能力目标 认识二极管，会用单向导电性分析简单电路工作原理 情感目标 初步认识电子线路，激发学习性趣。 重点 PN结的形成过程 二极管的单向导电性 难点 PN结的形成过程 资源 实验电路与课件演示 教法 学法 实验与讲授相结合 观察、讨论 教学过程 备注 导入：在现代社会中，人们无时无刻不在使用电子产品，如通讯设备，电视，电脑，医疗设备，各种自动化生产设备等，这些都和电子技术密切相关。电子设备中常用的电阻，电容，变压器和 开关等，称为元件，电子管、晶体管（半导体管）称为器件。电子元器件利用电子运动规律控制电路中能量状态的改变。没有电子元器件，就没有电子技术。由电子元器件组成的电路，就是电子线路。今天，我们就来学习一种既简单又非常重要的器件-------- 二极管。　　　　 　 半导体物理基础知识??? 物质根据其导电性能分为 导体：导电能力良好的物质。 绝缘体：导电能力很差的物质。 半导体：是一种导电能力介于导体和绝缘体之 间的物质，如硅、锗、硒、砷化镓及一些硫化物和氧化物。 我们常说的电子器件所用的半导体材料是指硅、锗、砷化镓。利用这些材料可以制造出各种用途的电子器件，如：三极管、二极管、稳压管等。其中用硅和锗材料的杂质半导体最为常见。下面就简单介绍一下半导体的基本知识。　 1.1 本征半导体 　　硅和锗都是晶体，且都是四价元素，它们的原子是有规则地排列着，以硅为例，硅的每个原子均和相邻四个原子之间各拿出一个电子形成四个共价键。共价键内的两个价电子称为束缚电子，它们受原子核引力的约束形成一种稳定的结构。如果没有足够的外加能量,电子是不易摆脱共价键束缚的。我们称这种纯净的、结构完整的晶体结构的半导体为本征半导体。 　　整块晶体内部晶格排列完全一致的晶体称为单晶，硅和锗的单晶称为本征半导体，它是制造半导体器件的基本材料。 　　物质的导电能力是与物质当中能够参与导电的载流子的数目有关,也就是与载流子浓度的大小有关。在金属中只有一种载流子——自由电子，它是原子的外层电子。因为金属的外层电子很容易摆脱原子核的约束，成为自由移动的电子，使金属导电有了可能。 ?　　本征半导体的导电能力很弱，因为它的外层电子形成了共价键，价电子不容易摆脱束缚，也就不会有很多自由电子存在。载流子浓度小，自然导电能力差。但在一定的温度下，还是有一些共价键中的电子吸收热能，获得足够的能量挣脱出来成为自由电子，同时在共价键中留下一个空位，叫空穴。自由电子和空穴是成对出现的。我们把这个过程叫本征激发。同时还存在一个相反的过程，价电子成为自由电子后，由于热骚动，有可能自由电子又会和空穴相遇，释放出能量，使空穴和自由电子消失，我们把这个过程叫复合。在一定的温度下，本征激发和复合会达到一种动态平衡，形成一定浓度的自由电子，及相同浓度的空穴。自由电子和空穴在半导体中都可以移动，因此他们都是载流子。这与金属是不同的，金属中只有一种载流子，自由电子。 　　在本征半导体中，自由电子和空穴的浓度公式为： ni=pi 　　本征半导体中只有少量的载流子。它的导电能力很弱。 ?　ＰＮ结的形成（1）当Ｐ型半导体和Ｎ型半导体结合在一起时，由于交界面处存在 载流子浓度的差异 ，这样电子和空穴都要 从浓度高的地方向浓度低的地方扩散 。但是，电子和空穴都是带电的，它们扩散的结果就使Ｐ区和Ｎ区中原来的电中性条件破坏了。Ｐ区一侧因失去空穴而留下不能移动的负离子，Ｎ区一侧因失去电子而留下不能移动的正离子。这些不能移动的带电粒子通常称为 空间电荷 ，它们集中在Ｐ区和Ｎ区交界面附近，形成了一个很薄的空间电荷区，这就是我们所说的 ＰＮ结 。 ????　　　　　 图（1）浓度差使载流子发生扩散运动 　　（2）在这个区域内，多数载流子已扩散到对方并复合掉了，或者说消耗殆尽了，因此，空间电荷区又称为 耗尽层 。 　　（3）Ｐ区一侧呈现负电荷，Ｎ区一侧呈现正电荷，因此空间电荷区出现了方向由Ｎ区指向Ｐ区的电场，由于这个电场是载流子扩散运动形成的，而不是外加电压形成的，故称为 内电场 。 ????　　　　　 图（2）内电场形成 　　（4）内电场是由多子的扩散运动引起的，伴随着它的建立将带来两种影响：一是 内电场将阻碍多子的扩散 ，二是P区和N区的少子一旦靠近PN结，便在内电场的作用下漂移到对方， 使空间电荷区变窄 。 （5）因此， 扩散运动使空间电荷区加宽，内电场增强，有利于少子的漂移而不利于多子的扩散；而漂移运动使空间电荷区变窄，内电场减弱，有利于多子的