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§4.1 开关特性
* 主要内容： 第4章 逻辑门电路 晶体管开关特性 TTL门电路 MOS门电路 其它逻辑门电路 §4.1 晶体管开关特性 一、理想开关的特性 1. 开关闭合（开态） Rk=0, Vk=0 2. 开关断开（关态） Rk=∞, Ik=0 3. 开关过渡时间为0。 Vk Ik Vk Ik 上升时间：tr=0, 下降时间：tf=0 4. 开关特性与外界环境无关。 Vcc R Vo Vi K Vk t tr tf 二、二极管的开关特性 1. 稳态特性 正偏： 2. 过渡特性 3. 开关特性与外界环境有关 V I VD R正 反偏： R反 正向导通时间：tfe 反向恢复时间：tre (tretfe) t Vi t0 t1 t2 ID t VD t ts tf tfe + R D – Vi VD 例1： A B +12V R 3.9K D1 D2 Y Y=A?B 4. 二极管门电路 ? AB Y 0V 3V 0V 3V 导通 截止 导通 导通 导通 导通 截止 导通 D1 D2 0.7V 0.7V 0.7V 3.7V 0V 0V 3V 3V Y A B 功能表 逻辑表达式 逻辑符号 0V 3V 输入电平 0.7V 3.7V 输出电平 电平漂移！ 例2： A B –12V R 3.9K D1 D2 Y Y=A+B ≥1 AB Y 电平漂移！ 0V 3V 0V 3V 导通 导通 截止 导通 导通 截止 导通 导通 D1 D2 -0.7V 2.3V 2.3V 2.3V 0V 0V 3V 3V Y A B 功能表 逻辑表达式 逻辑符号 输出电平 -0.7V 2.3V 0V 3V 输入电平 三、三极管的开关特性 1. 稳态特性 截止状态 条件: Ib≈0 特征： Ic≈0 (be、bc结均反偏) Vo=Vce≈Ec b c e c、e间相当开关断开 饱和状态 条件: Ib≥Ibs Ibs = EC ? ?RC ) ( 特征： Vbe=0.7V Vo=Vces≈0.3V c、e间相当开关合上 b c e (be、bc结均正偏) R1 b c e Vo Vi +Ec RC T 2. 过渡特性 3. 开关特性与外界环境有关 延时时间td： 上升时间tr： 存储时间ts： 下降时间tf ： 开启时间ton=td+tr 关闭时间toff=ts+tf 影响开关时间主要因素是ts。 t Vi Eb Ib t t0 t3 Vo t ts tf td tr t1 t2 t3 t4 Ic t Icm 0.9Icm 0.1Icm * * *
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