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第4章 主存储器 4.1 主存储器处于全机中心地位 4.2主存储器分类 4.3主存储器的主要技术指标 4.4主存储器的基本操作 4.5 读/写存储器 4.6 非易失性存储器 4.7 DRAM的研制与发展（略） 4.8 半导体存储器的组成与控制 4.9 多体交叉存储器 学习目的 1.了解主存储器处于全机中心地位、主存储器分类、主存储器的主要技术指标、主存储器的基本操作。 2.掌握、存储器的组成、读/写过程的时序和再生产生的原因和实现方法。 3.掌握半导体存储器的组成与控制，了解多体交叉存储器的原理和编码方法。 本章重难点 重点： 1.静、动态存储元的读/写原理，再生产生的原因和实现方法。 2.存储器的字扩展、位扩展方式，存储器组成与控制。 难点： 1.静、动态存储元的读/写原理。 2.存储器组成与控制。 4.1主存储器处于全机中心地位 1.正在运行的程序和数据存放于存储器中。CPU直接从存储器取指令或存取数据。 2.采用DMA技术或输入输出通道技术，在存储器和输入输出系统之间直接传输数据。 3.多处理机系统采用共享存储器来存取和交换数据 1、存储器：是计算机系统中的记忆设备，用来存放程序和数据。 2、存储元：存储器的最小组成单位，用以存储1位二进制代码。 3、存储单元：是CPU访问存储器基本单位，由若干个具有相同操作属性的存储元组成。 4、单元地址：在存储器中用以表识存储单元的唯一编号，CPU通过该编号访问相应的存储单元。 5、字存储单元：存放一个字的存储单元，相应的单元地址叫字地址。 6、字节存储单元：存放一个字节的存储单元，相应的单元地址叫字节地址 7、按字寻址计算机：可编址的最小单位是字存储单元的计算机。 8、按字节寻址计算机：可编址的最小单位是字节的计算机。 9、存储体：存储单元的集合，是存放二进制信息的地方 存储器各个概念之间的关系 4.3主存储器的主要技术指标 主存储器的主要性能指标:主存容量、存储器存取时间和存储周期时间。 1.存储容量： 按字节或按字寻址，容量为多少字节，单位：KB（210），MB（220），GB（230）；地址线数决定最大直接寻址空间大小（n位地址：2n）。 2. 存取时间（存储器访问时间）(或读/写时间)：（memory access time）指启动一次存储器操作到完成该操作所经历的时间。 　　*读出时间：指从CPU向MEM发出有效地址和读命令开始，直到将被选单元的内容读出为止所用的时间。 　　*写入时间：指从CPU向MEM发出有效地址和写命令开始，直到信息写入被选中单元为止所用的时间。 读（取）操作 ：从CPU送来的地址所指定的存  储单元中取出信息，再送给CPU。 （1）地址-AR-AB　　CPU将地址信号送至地址总线 （2）　Read 　　　CPU发读命令 （3）Wait for MFC 　等待存储器工作完成信号 （4）(AR)-DB-DR 读出信息经数据总线送至CPU （1）读操作 因为T5、T6通＝＞则A、B点与位线1、位线2相连。 若记忆单元为“1”＝＞A＝0，B＝1。 　＝＞T1通，T2止，则位线1产生负脉冲。 若记忆单元为“0”＝＞A＝1，B＝0 　＝＞ T1止，T2通，则位线2产生负脉冲。 　　这样根据两条位线上哪一条产生负脉冲判断读出1还是0。 （2）写操作 若要写入“1”，则使位线1输入“0”，位线2输入“1”，它们分别通过T5、T6管迫使T1通、T2止＝＞A＝0，B＝1，使记忆单元内容变成“1”，完成写“1”操作 若要写入“0”，则使位线1输入“1”，位线2输入“0”，它们分别通过T5、T6管迫使T1止、T2通＝＞A＝1，B＝0，使记忆单元内容变成“0”，完成写“0”操作 在该记忆单元未被选中或读出时，电路处于双稳态，F/F工作状态由电源VDD不断给T1、T2供电，以保持信息，但是只要电源被切断，原存信息便会丢失，这就是半导体存储器的易失性。 1K bit SRAM 4.开关特性（1）读周期的参数 地址读数时间taAdr 当CS=0时，自地址(Adr)建立/开始，到得到读出数据所需的时间，称为地址读数时间。 片选读时间taCS 设地址信息在CS=1期间已建立，则从CS负跳变开始到得到读出数据所需的时间称为片选读数时间。 片禁止到输出的传输延迟tPLHCS→Dour 它是自CS正跳变到达至输出变为“1”所需的时间。 地址对片选的建立时间tsuAdr→CS 如果地址在CS=1期间变化，则为了能在CS负跳变到达后按地址读出数据，地址的变化应提前在CS负跳变到达前进行。所需提前的最短时间称tsuAdr→CS （2）写周期的参数 地