第二章_集成电路工艺及版图设计基础.ppt.Convertor.docVIP

第二章 集成电路工艺和版图设计 主要内容： 1、集成电路的生产工艺流程 2、集成电路的晶体管模型 3、集成电路的版图设计 4、设计规则 5、功耗 2.1 引言 在微米级加工工艺中，前端和后端可以独立的进行设计。但是在深亚微米工艺中，为了获得正确的时序，必须在前端设计时考虑后端的工艺数据。在SOC设计中，系统设计人员对后端设计的内容，特点以及产品的生产工艺必须要有深刻的理解 2.2 集成电路的主要生产工艺 1．工艺类型： 双极性工艺，PMOS工艺，NMOS工艺，CMOS工艺，BiCMOS工艺 2．工艺流程： 根据工序的不同, 可以把工艺分成三类： 前工序、 后工序及辅助工序。 1) 前工序 前工序包括从晶片开始加工到中间测试之前的所有工序。 前工序结束时， 半导体器件的核心部分—管芯就形成了。 前工序中包括以下三类工艺： 薄膜制备工艺： 包括氧化、 外延、 化学气相淀积、 蒸发、 溅射等。 掺杂工艺： 包括离子注入和扩散。 图形加工技术： 包括制版和光刻。 2) 后工序 后工序包括从中间测试开始到器件完成的所有工序, 有中间测试、 划片、 贴片、 焊接、 封装、 成品测试等。 3) 辅助工序 前、 后工序的内容是IC工艺流程直接涉及到的工序， 为保证整个工艺流程的进行， 还需要一些辅助性的工序， 这些工序有： 超净环境的制备： IC， 特别是VLSI的生产， 需要超净的环境。 高纯水、 气的制备： IC生产中所用的水必须是去离子、 去中性原子团和细菌，绝缘电阻率高达15 MΩ·cm以上的电子级纯水； 所使用的各种气体也必须是高纯度的。 ? 材料准备： 包括制备单晶、 切片、 磨片、 抛光等工序， 制成IC生产所需要的单晶圆片。 （1）晶片准备 （2）制版：根据IC设计版图准备各种掩膜版 （3）光刻工艺：光刻工艺是指借助于掩膜版， 并利用光敏的抗蚀涂层发生的光化学反应， 结合刻蚀方法在各种薄膜（如SiO2薄膜、 多晶硅薄膜和各种金属膜）上刻蚀出各种所需要的图形， 实现掩膜版图形到硅片表面各种薄膜上图形的转移。下面以采用负胶光刻SiO2薄膜为例对光刻过程作一个简要介绍， 如图2 -1所示， 光刻一般包括以下7个步骤。 (a) 涂胶； (b) 前烘； (c) 曝光； (d) 显影； (e) 坚膜； (f) 腐蚀； (g) 去胶 涂胶：就是在硅片表面的SiO2薄膜上均匀地涂上一层厚度适当的光刻胶，使光刻胶与SiO2薄膜粘附良好。 前烘：为了使胶膜里的溶剂充分挥发, 使胶膜干燥， 以增加胶膜与SiO2膜的粘附性和胶膜的耐磨性， 涂胶后要对其进行前烘。 前烘常用的方法有两种： 一种是在80 °C恒温干燥箱中烘10～15分钟， 另一种是用红外灯烘焙。 曝光：将光刻版覆盖在涂好光刻胶的硅片上， 用紫外光进行选择性照射， 使受光照部分的光刻胶发生化学反应。 显影: 经过紫外光照射后的光刻胶部分， 由于发生了化学反应而改变了它在显影液里的溶解度， 因此将曝光后的硅片放入显影液中就可显示出需要的图形。 对于负胶来说， 未受紫外光照射的部分将被显影液洗掉。 坚膜: 显影以后， 光刻胶膜可能会因含有残留的溶剂而被泡软、 膨胀， 所以要对其进行坚膜。 腐蚀：用适当的腐蚀液将没有被光刻胶覆盖而暴露在外面的SiO2薄膜腐蚀掉， 光刻胶及其覆盖的SiO2薄膜部分则被完好地保存下来。 腐蚀有干法腐蚀和湿法腐蚀两种。 去胶：腐蚀完后， 将留在SiO2薄膜上的胶膜去掉。 去胶也有干法去胶和湿法去胶两种。 （4）氧化工艺：MOS器件中栅极和沟道之间有一个绝缘体，以便在沟道上能够感应出与栅极相反的电荷。另外，在进行掺杂的过程中，不论是利用固态扩散和离子注入，都是针对整个硅晶片进行的，并没有针对某些特定区域进行掺杂；但是掺杂的动作的确需要限制在某些特定的区域之中，以便形成N型和P型晶体管为了让某些区域不被掺杂，需要将这些区域遮盖起来，这时，在MOS电路中一般使用二氧化硅作为绝缘层，它的绝缘性强，加工容易，只要让硅材料经过氧化过程即可。 有干氧法和湿氧法两种 湿氧法：当氧化的环境湿带有水蒸汽的且温度通常在900度到1000度之间，是一种快速的氧化过程； 干氧法：氧化的过程在纯氧的环境下进行，温度维持在1200度左右，氧化过程速率一般。 （5）淀积：又叫累晶技术，意味着要将某一层物质上整齐的排列着。主要用于制造导电的栅极、晶体管之间的联机、电源线和地线。蒸发铝形成互连导线，扩散多晶硅作为非金属导体 （6）腐蚀：当要对某些确定的部位进行加工的时候，就利用腐蚀工艺部分有选择的从衬底表面除去不需要的材料。又叫蚀刻（Etching），其基本步骤包括： 1、涂感光胶：在二氧化硅的表面上均匀涂上感光胶（正型感光胶：曝光前是难溶物质，