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短波长谐振腔发光二极管外延及性能研究-维普
维普资讯
光 电 子 ·激 光
第 16卷 第 11期 2005年 11月 JournalofOptoelectronics·Laser V01．16NO．1l NOV．2005
短波长谐振腔发光二极管外延及性能研究
尉吉勇 。黄柏标 ，秦晓燕 ，张晓阳，张 琦 ，姚书山，朱宝富，李宪林
(山东大学品体所晶体材料 国家重点实验 室。山东 济 南 25Ol00)
摘要 ：利用金属有机化学气相沉积 (M()CVD)方法q二长 650nm谐振腔半导体发光二极管 (RCLED)，利
用光致发光 (PI)谱和电致发光 (EI)谱研究了其发光特性。由于上 、下布拉格反射镜 的影响，导致其 PI
强度 只有普通 IED的 l／20；EI谱纯度有 I很大提高．半峰宽 (FwHM)由普通 I．ED的 20nm降到 4nm
以下 。最好 的器件测试结果表 明．可 以在 6()nA、2．71V 下 ，实现 1．4 mw 以上发射功率 ，最 窄
FW HM 在 3nm。
关键词 ：谐振腔半导体发光二极管(RCIl￡I))；金属有机化学气相沉积 (MOCVI))；光致发光 (PI)；电致
发光 (EI)
中图分类号 ：TN3l2一．8 文献标 识码 ：A 文章编号 ：lO)(5-0086(2005)¨一l304—03
EpitaxyandCharacterizationofShortW avelength ResonantCavityLEDs
WEIJi-yong ，HUANG Bat—biao，QIN Xiao—yan，ZHANG Xiao—yang，ZHANG Qi，
YA()Shu—shan，ZHU Bao—fu．LIXtan—lin
(InslilmeofCrystalMaterials．NationalKey1abofCrystalGrowth。ShandongUniversity．Jinan250100．
China)
Abstract：Resonantoavity lightemittingdiodes(RCLED)of650nm wavelengthwasepitax-
iedbymetalorganicchemicalvapordeposition(MOCVD)，theemissionpropertyofphoto-
Iuminescence(PL)andelectro-Iuminesence(EL)was characterized．The PL intensitv Of
ROLED isabout1／／20ofcommon LED；theEL spectralpurity isenhanced，EL spectralfull
widthofhalfmaximum (FWHM) iSdecreasedfrOm commonLEDS20nm tO RCLEDS3．4
nm．The device characterizatiOn show thatwe can obtainabove 1 45 mW EL emission
powerat69mA，2 71V
Key words：resonantcavity lightemitting diodes(RCLED)； metalorganic chemicalvapor deposition
(MOCVD)：photoIuminescence(PL)；eIectro Iuminescence(EL)
ry—Perot(P—Z)谐振腔中，即放置 在 2个 反射镜 问，微
1 引 言
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