低频课程设计电阻密码锁.docVIP

  1. 1、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。。
  2. 2、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  3. 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
  4. 4、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
  5. 5、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们
  6. 6、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
  7. 7、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
低频课程设计电阻密码锁

五邑大学 低频电子线路课程设计报告 题 目:电阻密码锁 院 系 专 业 学 号 学生姓名 指导教师 题目的要求和意义 要求: 1、用一个特定阻值的电阻作为密钥; 2、用Ucc/2作为比较电压; 3、用发光二极管的亮暗来显示锁的开合:正确接入密钥时,发光二极管亮,则锁被打开;否则当有人试图开锁时或错误(或无)接入密钥时,发光二极管暗,则锁闭合 。 意义: 电阻锁涉及锁具技术领导,能够提高锁的安全性。虽然运用普通的元件所制成的电阻锁可靠性不高,但是,这意味着锁具技术向前跨入了一大步。如果电阻锁设计的适当,能够克制“万能匙”,使用户所需保管的物品的安全性大大提高。 硬件电路设计 电子元件: 芯片LM324 电阻1k×5、470×3、22M×1 二极管1N4007×5、1N4148×2 三极管9015×1、9014×1 电解电容2200μF×1 LED灯×1 可调电阻1k×1 LM314参数 LM324是四运放集成电路,它采用14脚双列直插塑料封装,外形如图所示。它的内部包含四组形式完全相同的运算放大器,除电源共用外,四组运放相互独立。每一组运算放大器可用图1所示的符号来表示,它有5个引出脚,其中“+”、“-”为两个信号输入端,“V+”、“V-”为正、负电源端,“Vo”为输出端。两个信号输入端中,Vi-(-)为反相输入端,表示运放输出端Vo的信号与该输入端的相位相反;Vi+(+)为同相输入端,表示运放输出端Vo的信号与该输入端的相位相同。LM324的引脚排列见图2。 ??图 1?????????????????????????????????? 图 2 ????????由于LM324四运放电路具有电源电压范围宽,静态功耗小,可单电源使用,价格低廉等优点,因此被广泛应用在各种电路中。 (2)正确接入电阻时,电压比较器输出低电平,通过一级反相器后变为高电平,发光二极管亮,同时另一路运放也输出低电平,导致储能机构仍截止。 (3)错误接入电阻时,电压比较器输出高电平,通过一级反相器后变为低电平,发光二极管不导通,同时另一路运放输出低电平,储能机构导通,电容器快速充电,随后即便曾经搜索到密钥,但电容器两端维持高电平从而使通过一级反相器后的电压变为低电平,发光二极管仍不导通。 本次设计的电路图如下: 实验电路图介绍: 1. U1、U2、R1、R2、D1、D2、D3、D4等组成窗口电压比较器。其中R1、R2、D1、D2确定比较器的上下门限电压UTL=(UCC-2UD)R2/(R1+R2),UTH=UTL+2UD(UD为二极管的导通电压)。 当UIUTL时,D3截止,D4导通,比较器输出为UOPP; 当UTL=UI=UTH时,D3、D4都截止,比较器输出为0; 当UIUTH时,D3导通,D4截止,比较器输出为UOPP。 故可得双限电压比较器的传输特性如图a所示: 即当电路不接入电阻时,比较器输出为高;接入正确电阻时,输出为低;接入错误电阻时,输出为高。 2. U3、R3、D7等组成单限电压比较器。因D7的导通压降很小,该单限比较器相当于一个过零比较器。 当UI0时,比较器输出为UOPP; 当UI0时,比较器输出为-UOPP。 故可得单限电压比较器的传输特性如图b、c所示: 即当电路不接入电阻时,比较器输出为高;接入电阻时为低。 3. Q1、D5、D6、R6、R7、C1等组成储能机构。 当三极管Q1发射极e为高,基极b为高(即当电路不接入电阻)时,Q1不导通,故C1不能充电; 当Q1的e极为低,b极为低(即正确接入电阻)时,Q1不导通,C1也不能充电; 当Q1的e极为高,b极为低(即接入错误电阻)时,Q1导通,C1迅速充电,此时储能机构为高。 4. Q2、R4、R5等组成反向器。 当Q2的基极b为高时,集电极c为低,发光二极管不亮; 当b极为低时,c极为高,发光二极管亮。 三、调试 当R10改变时,各点电势变化如下:(R10单位为Ω,电势单位为V) R10 A B C D E F G H I J M M O 0 6.03 0.10 4.33 5.20 8.04 5.20 4.89 0.01 5.16 4.89 4.69 3.37 7.37 470 0.002 1.84 0.015 0.48 4.01 0.47 0.73 3.71 0.47 0.72 4.71 3.41 7.39 1k 0.0

文档评论(0)

pangzilva + 关注
实名认证
文档贡献者

该用户很懒,什么也没介绍

1亿VIP精品文档

相关文档