探测器综述论文(HIT.docxVIP

探测器综述目录碲镉汞光电探测器(Hg1-xCdxTe)2PbS多晶膜光电导探测器3锑化铟光电探测器4硅光电池6硅光电二极管6PIN硅光电二极管7雪崩光电二极管（APD）8硅光电池、三极管、二极管、PIN、APD性能参数对比总结10异质结探测器11象限探测器12光电位置探测器（PSD）14量子阱光电探测器15结语16参考文献17碲镉汞光电探测器(Hg1-xCdxTe)工作原理其中， Hg1-xCdxTe是由CdTe和HgTe组成的固熔三元化合物半导体，x表示CdTe所占的克分子数。这种三元化合物的成分可以从纯CdT。到纯HgTe之间变化。选择不同的x值就可以制备出一系列不同禁带宽度、不同响应波段的碲镉汞材料，这种材料具有一些可贵的性质:电子有效质量小，本征载流子浓度低等。性能参数以实际产品为例进行分析：DMCT(x)-De系列碲镉汞探测器———液氮制冷型红外探测器，波长范围：2~22μm型号/参数DMCT12-De01DMCT14-De01DMCT16-De01DMCT22-De01DMCT12-HS光敏面尺寸(mm)1×1 1×11×11×11×1波长范围(μm) 2-122-142-162-222-12峰值响应度(V/W) 3x1031x1039001504x104响应时间(ns) 　25D*(@λpeak，1KHz)cm Hz1/2W-1，Min3 x 10103 x 1010