3.3 媒质分界面边界条件(教案20030311).docVIP

3.3 导电媒质分界面衔接条件 在不同导电媒质分界面上，可能有自由面电荷，还可能有极化面电荷，它们的存在造成分界面两侧场矢量不连续。研究场矢量E、J的分布，就必须研究场矢量的分界面衔接条件。 3.3.1 导电媒质分界面衔接条件 （1） 两导电媒质分界面衔接条件 左图示出两导电媒质分界面上的入射和折射情况，分界面的正法线方向仍按静电场这章的约定：由媒质1指向媒质2。依据恒定电场基本方程的积分形式（，）采用如同静电场中推导分界面衔接条件的方法，在导电媒质分界面上，可分别导得关于电场强度和电流密度的两个齐次衔接条件： （3.3.1） （3.3.2） 从量值上来分析，有 （3.3.3） （3.3.4） 即在媒质分界面上电场强度的切向分量连续，电流密度的法向分量连续。 若媒质是各向同性、线性的，上面两式可分别写为 以上两式相除即得 （3.3.5） 称为恒定电场中的折射定律。 考虑式和，可得到用电位表示的媒质分界面衔接条件 （3.3.6） （3.3.7） （2）良导体与不良导体的分界面情况 设良导体和不良导体相界，良导体的电导率，不良导体的电导率，有。只要入射角，不论的大小如何，由折射定律 ，很小，也一定很小，以至于紧靠媒质分界面处，不良导体侧的电流线可近似看成与分界面垂直。 比如金属导体接地情况：钢（S/m）与土壤（S/m）的分界面上，当时计算得。这正好说明在恒定电场中良导体和不良导体相界，在紧靠媒质分界面不良导体侧，电场强度和电流密度矢量近似与分界面垂直，分界面可近似为一等位面，这对于分析实际问题带来了很大的便利。 3.3.2 损耗介质中的恒定电场及媒质分界面衔接条件 （1）损耗介质中的恒定电场 在静电场中定义电介质时，忽略了其微弱的导电性，视为理想介质。而在恒定电场中，介质的这种微弱的导电性就必须重点考虑，称此类介质为损耗介质（非理想介质）。这就反映出了物质的两重性：介电性和导电性。 损耗介质中，恒定电场的基本场量：E、J、D： 自由电子运动 传导电流 产生热损耗； 介质的束缚电荷 介质的极化 。 所以，损耗介质应满足的基本方程： 积分形式 微分形式 （3.3.8） 损耗介质的构成方程： （3.3.9） （2）损耗介质分界面上的衔接条件 考虑到物质的两重性，损耗介质分界面衔接条件应为 （3.3.10） 式中是分界面上的自由电荷面密度。分析面电荷存在的可能性 在分界面上 ，令该式等于，有 （3.3.11） 式中括号内的项一般不为零，说明导电媒质分界面上一般累积有自由面电荷。 3.3.3 导体与理想介质的分界面情况 设第一种媒质为导体，电导率为，第二种媒质为理想介质，电导率=0，显然有。由分界面衔接条件 ，说明导体表面电流密度没有法向分量，电流沿导体表面流动，对应有，即在导体表面电场强度只有切向分量。在理想介质一侧，，又导体表面有自由面电荷存在，按分界面衔接条件 ，可得导体与理想介质分界面衔接条件 （3.3.12） 由上分析可见，在紧靠分界面处理想介质侧，电场强度有切向分量，也有法向分量，E线不垂直于导体表面，导体表面也不是等位面。左图中绘出了电力线示意图。 在实际应用中，一般有，有时，为方便计算理想介质中的恒定电场，而近似认为导体表面是等位面，这意味着也近似认为E线垂直于导体表面。 3.3.4导电媒质中恒定电场的计算 （1）导电媒质中的恒定电场与无源区静电场的比拟 对于导电媒质中的恒定电场与无源区静电场，就它们的场量作对应比较： 恒定电场 无源区静电场