半导体物理第五章非平衡载流子幻灯片.pptVIP

第五章 非平衡载流子 在外界因素的作用下，能带中的载流子数目发生明显的改变，即产生非平衡载流子。 晶体管放大 半导体发光 光电导 本章内容： 非平衡载流子的注入，非平衡载流子的复合与寿命，陷阱效应，非平衡载流子的扩散等。 5.1非平衡载流子的注入与复合 1、半导体的热平衡状态与非平衡状态 载流子产生率：单位时间单位体积半导体内产生电子－空穴对数目。 载流子复合率：单位时间单位体积内复合的电子－空穴对数目。 热平衡：产生率＝复合率 平衡载流子浓度： 通常对于半导体内产生的非平衡载流子满足： 如果非平衡载流子的浓度远小于平衡多数载流子的浓度，称小注入。 如n0=5.5×1015,P0=3.1×104，Δn＝1010 即使在小注入的情况下，非平衡少数载流子比平衡少数载流子的浓度大很多，非平衡多数载流子可以忽略。 在非平衡状态下，载流子浓度不满足np＝ni2 2、非平衡载流子的注入和检验 外界因素的作用使半导体产生非平衡载流子，称非平衡载流子的注入。 5.2非平衡载流子寿命 1.非平衡载流子复合衰减规律及其寿命 2、寿命测量的实验方法 实验测量非平衡载流子的寿命通常称为半导体材料的寿命 5.3 准费米能级 分别引入导带和价带费米能级－准费米能级 (1)非平衡载流子浓度越高，准费米能级偏离越远； (2)一般在非平衡态时，往往总是少数载流子准费米能级的偏离大于多数载流子能