富含奈米矽晶之过矽二氧化矽发光材料与元件-国立交通大学机构典藏.pdfVIP

富含奈米矽晶之過矽二氧化矽發光材料與元件 學生：林俊榮 指導教授：林恭如博士 郭浩中博士 國立交通大學光電工程研究所 摘 要 本論文旨在於探討過矽二氧化矽材料之製作與材料結構、物性、 光性、電性等，並發展含有奈米矽晶之矽基發光二極體。主要可分為 五大部分。第一部分為研究 銀電極矽離子佈植二氧化矽/ /n型矽基板 /銀電極 金氧半發光二極體之白光、藍綠光，電激螢光與矽離子佈植 二氧化矽材料特性。由於大量的矽離子轟擊造成二氧化矽層中許多斷 o 鍵與大量的氧缺陷，在 1100 C爐管退火 180 分鐘後，主要有三種發 光因子，弱氧鍵缺陷(415 nm) ，中性氧缺陷(455 nm)與 E’δ 缺陷(520 nm) 。此金氧半發光二極體之電激螢光光譜，會隨不同的逆向偏壓而 改變，其是由於反轉層中大量累積的電 洞，注入不同能量的發光缺陷 因子所造成。在 1.25 安培脈衝式電流驅動下，可達到白光放光功率 為 60 nW 。第二部分，利用電漿輔助化學氣相沉積法，以不同反應氣 體比例 (N o O/SiH )製作過矽二氧化矽材料。在 1100 C退火 30 分鐘後， 2 4 可得到 4 nm 直徑的奈米矽晶，並製作 銦銻氧透明電極 /過矽二氧化 矽 /p 基板/鋁電極 金氧半發光二極體。利用改變反應電漿功率與基板 溫度的方法，探討不同濃度的過矽二氧化矽材料的形成機制。過矽二 氧化矽材料易形成於高電漿反應功率與 低基板溫度，或低電漿反應功 率與高基板溫度。第三部份，由於爐管無法局部區域性退火，故利用 二氧化矽材料對二氧化碳雷射波長具有高吸收係數的特性，來進行快 速雷射退火，最佳的雷射退火功率為 6 kW/cm2 ，退火時間為1毫秒。 過大的雷射功率會造成過矽二氧化矽膜的剝離，與形成中性氧缺陷放 光因子，並且增加吸收係數與降低含奈米矽二氧化矽膜之折射率。此 I 含有奈米矽晶之金氧半發光二極體的載子傳輸機制主要為 Fowler-Nordheim 穿隧效應。奈米矽晶濃度的增加，使得 銦銻氧透 明電極 /過矽二氧化矽 之界面位障明顯由 3.7 eV降低至 1.1 eV ， Fowler-Nordheim閾值電場可由 2 MV/cm降低至 1.4 MV/cm 。二氧 化碳快速雷射退火之奈米矽晶金氧半發 光二極體的發光功率，在電流 密度 2.3 mA/cm2下，可達 50 nW輸出光功率。 第四部份，利用電漿輔助化學氣相沉積 法，在低電漿反應功率與 高基板溫度下，於過矽二氧化矽膜與矽基板介面，會形成底部約 20 nm ，高度約 10 nm的矽奈米錐。此矽奈米錐可明顯降低 Fowler-Nordheim 穿隧閾值電場，並增強奈米矽基金氧半發光二極體 的發光強度達 150 nW 。第五部分，利用鎳奈米點為乾式蝕刻檔層， 可製作直徑約 30 nm ，高約350 nm ，密度約2.8×1010 cm−2 之矽奈米 柱。此矽奈米柱之不平整性可破壞全內反射，並降低 Fowler-Nordheim 穿隧電場，增加注入矽奈米晶體的載子，使得在375微安培電流驅動 下，可達 0.7 微瓦的光功率輸出，並可達到 0.1 %的外部量子效率。 II Silicon-rich silicon dioxide li