多晶漏电的分析.docVIP

1、针对1月13号扫描的10pcs片子，之后重新检查Correscan扫描图，对8#电池片，更改显示标尺最大值到100后发现扫描出的漏电痕迹（图一）与一篇文献中提到的两种类型均有类似之处（但该文献不是用Correscan扫描的），像火苗一样。该文章分析，这种类型的漏电为crack（裂缝）（图二）和材料中的强复合中心（图三）引起。 图一 Correscan扫描图 图二 crack引起的漏电 图三 强复合中心引起的漏电 2、1月19日用WT-2000扫描三星漏电片子，发现QE值与“孔雀开屏”的晶格分布类似， 疑似片源问题与漏电相关。但这次比较奇怪，一般片源会对长波响应影响较大，而上图中短波响应也受到影响；而与短波响应有关的栅线——PN结这一区域，又没有那一块会刚好形成这样的形状，怀疑小碎晶（微晶）区域杂质较多，影响了扩散，导致了短波响应与片子的晶格分布如此相似。为保证后续分析能照常进行，只选取1pcs进行Correscan扫描，结果如下： 上图右边的白条是由于探针刮到测试台所致，不是漏电区域（从片子上也可看出扫描痕迹，左边有部分区域未扫到）。由该扫描图依稀可以看出从右上角开始与“孔雀开屏”有点类似，但比较奇怪的是，对应于QE值较高的区域反而漏电较大，而并不是之前所想象的周围漏电大。 对于该问题，个人意见如下： 参考Shuntscan扫描的原理图， 测试所得电压是主栅线到探针之间的电压，基本是对上表面漏电的反馈，而非体电压，因而对过烧等在前表面造成的漏电较容易反馈。