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一. PN结的形成 耗尽层 耗尽层 由上可知，PN结中进行着两种载流子的运动： 空间电荷的变化趋势：【注意：此时为无外加电压状态】 二. PN结的单向导电性 外加正向电压 PN结加正向电压时导通 PN结加正向电压时导通 PN结加正向电压时导通 PN结加正向电压时导通 PN结加正向电压时导通 外加反向电压 PN结加反向电压时截止 PN结加反向电压时截止【可参考教材P35图2.2.4】 归纳： PN结加正向电压时，具有较大的正向扩散电流，呈现低电阻， PN结导通； PN结加反向电压时，具有很小的反向漂移电流，呈现高电阻， PN结截止。 * * PN结的形成及特性 PN结 势垒区 阻挡层 V0 （电位势垒） + - ＋ － 内电场 PN结 势垒区 阻挡层 V0 （电位势垒） + - 多数载流子的扩散运动 少数载流子的漂移运动 产生的电流称为扩散电流 产生的电流称为漂移电流 P区空穴→N区 N区电子→P区 N区空穴→P区 P区电子→N区 随着扩散运动的进行， 空间电荷区的宽度将逐渐增大； 随着漂移运动的进行， 空间电荷区的宽度将逐渐减小。 到达平衡时， 扩散电流＝漂移电流 PN结中总电流＝0 空间电荷区的宽度也达到稳定 即电源的正极接P区，负极接N区。 PN结的这种接法称为正向接法或正向偏置（简称正偏）。 前提：只有在外加电压时才会显示出来 － － － － － － － － － － － － － － － + + + + + + + + + + + + + + + ＋ － 外电场 P区 N区 多子空穴 多子电子 VF 空间电荷区 内电场 扩散运动 － － － － － － － － － － － － － － － + + + + + + + + + + + + + + + ＋ － 内电场 外电场 P区 N区 多子空穴 多子电子 VF 变薄 － － － － － － － － － － － － － － － + + + + + + + + + + + + + + + 变薄 ＋ － 内电场 外电场 P区 N区 多子空穴 多子电子 IF VF 正向电流 I：扩散电流 － － － － － － － － － － － － － － － + + + + + + + + + + + + + + + 变薄 ＋ － 内电场 外电场 P区 N区 IF VF I：扩散电流 内电场被削弱，多子的扩散加 强，形成较大的扩散电流I。 小结 内外电场方向相反，故势垒降低，有利于扩散运动的进行。 即电源的正极接N区，负极接P区。 PN结的这种接法称为反向接法或反向偏置（简称反偏）。 － － － － － － － － － － － － － － － + + + + + + + + + + + + + + + 空间电荷区 ＋ － 内电场 外电场 P区 N区 少子电子 少子空穴 VR 漂移运动 内外电场方向相同，故势垒升高，有利于漂移运动的进行。 在于它的耗尽层的存在，且其宽度随外加电压而变化。 关 键 这就是PN结的单向导电性。