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芯片结构与流程说明 LRC/Zhang Shu 2017-07-14 LRC Proprietary Confidential P2 N型硅衬底 P+ N型硅衬底 P+ 表面金属 P+ N型硅衬底 P+ 表面金属 背面金属 肖特基二极管 - N型外延做器件基底 - 芯片衬底 氧化层作为掺杂阻挡层和金属前介质层 P+ 做保护环 - 阻挡层金属也就是肖特基势垒金属层 表面金属层实现表面的电连接 芯片背面进行减薄，以实现更好的特性 背面金属层实现背面的电连接 LRC Proprietary Confidential P3 N型硅衬底 N型硅衬底 N型硅衬底 P+ P- 调整结边缘特性 P- - N型外延做器件基底 - 芯片衬底 氧化层作为掺杂阻挡层和金属前介质层 P+ 实现欧姆接触 表面金属层实现表面的电连接 芯片背面进行减薄，以实现更好的特性 背面金属层实现背面的电连接 稳压二极管 LRC Proprietary Confidential P4 P型硅衬底 N+ 调整结 P阱调整衬底浓度 P型硅衬底 P型硅衬底 P阱 N+ P型硅衬底 掺金 P型硅衬底 表面金属 背面金属 P型硅衬底 表面金属 - P型外延做器件基底 - 芯片衬底 氧化层作为掺杂阻挡层和金属前介质层 - 掺金调整开关参数 芯片背面进行减薄，以实现更好的特性 背面金属层实现背面的电连接 TVS/ESD二极管 LRC Proprietary Confidential P5 N型硅衬底 表面金属层实现表面的电连接 钝化层保护表面 芯片背面进行减薄，以实现更好的特性 N+ 调整终端特性 P+ 调整结 N型硅衬底 N型硅衬底 P+ N+ N型硅衬底 掺金 N型硅衬底 表面金属 背面金属 BAV99 二极管 N型硅衬底 表面金属 钝化层 - N型外延做器件基底 - 芯片衬底 氧化层作为掺杂阻挡层和金属前介质层 - 掺金调整开关参数 背面金属层实现背面的电连接 LRC Proprietary Confidential P6 N型硅衬底 N型硅衬底 P型基区 N型硅衬底 N型发射区 表面金属 钝化层 NPN 三极管-1 N型硅衬底 N型硅衬底 N型硅衬底 掺金 - P型掺杂形成基区 - N型外延做器件基底 - 芯片衬底 氧化层作为掺杂阻挡层和金属前介质层 N型掺杂形成发射区 - 掺金调整开关参数 表面金属层实现表面的电连接 钝化层保护表面 LRC Proprietary Confidential P7 背面金属 N型硅衬底 N型硅衬底 NPN 三极管-2 芯片背面进行减薄，以实现更好的特性 背面金属层实现背面的电连接 LRC Proprietary Confidential P8 P型硅衬底 P型硅衬底 N型基区 P型硅衬底 P型发射区 表面金属 P型硅衬底 P型硅衬底 掺金 N+ 掺杂形成欧姆接触 N+ P型硅衬底 PNP 三极管-1 - P型外延做器件基底 - 芯片衬底 氧化层作为掺杂阻挡层和金属前介质层 - N型掺杂形成基区 P型掺杂形成发射区 - 掺金调整开关参数 表面金属层实现表面的电连接 LRC Proprietary Confidential P9 背面金属 钝化层 P型硅衬底 P型硅衬底 P型硅衬底 PNP 三极管-2 钝化层保护表面 芯片背面进行减薄，以实现更好的特性 背面金属层实现背面的电连接 LRC Proprietary Confidential P10 Thank You！