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§6.1 电容器介质材料 §6.2 铁电材料 §6.3 压电材料与热释电材料 §6.4 微波陶瓷介质材料 §6.5 玻璃电介质材料 §6.6 有机电介质材料;§ 6-1 电容器介质材料;§ 6-1 电容器介质材料;电介质材料主要分为两类;§ 6-1 电容器介质材料;§ 6-1 电容器介质材料; ; ; ; ; ;§ 6.1.2 有机薄膜电容器介质材料;§ 6.1.2 有机薄膜电容器介质材料;§ 6.1.3 电解电容器介质;§ 6.1.3 电解电容器介质;1、箔式铝电解电容器氧化膜介质;1、箔式铝电解电容器氧化膜介质;1、箔式铝电解电容器氧化膜介质;1、箔式铝电解电容器氧化膜介质;2、固体钽电解电容器钽氧化膜结构及晶化;固体钽电解电容器的结构示意图 ;①、介电系数大，以制造小体积、重量轻的陶瓷电容器，ε↑→电容器体积↓→整机体积、重量↓ ②、介质损耗小，tgδ=（1~6）×10-4，保证回路的高Q值。高介电容器瓷工作在高频下时ω↑、tgδ↑ 。 ③、陶瓷电介质及高稳定导电电极Ag、Pt、Pd等均经过高温烧 结，具有高强度结构和高可靠性，耐高工作温度。本身不仅作为电介质，同时作为基体和支承结构。 ④具有高电阻率，高耐电强度。;电容器瓷分类：;1、 高频温度补偿性介电陶瓷（Ⅰ型）； 2、 高频温度稳定型介电陶瓷（Ⅱ型）； 3、 低频高介电系数型介电陶瓷（Ⅲ型）； 4、 半导体介电陶瓷（Ⅳ型）。; ; ; 有正、负、零，取决于不同温度下质点的极化程度，也决定于相应温度下单位体积的质点数。 a、? TiO2、CaTiO3 b、? CaSnO3、CaZrO3 c、? BaO·4TiO2 ;热补偿电容器瓷 定义：αε具有很大的负值，用来补偿振荡回路中电感的正温度系数，以使回路的谐振频率保持稳定。 1、金红石瓷 ε：80~90，αε：-750~-850×10-6/℃ 2、钛酸钙瓷 ε：150~160 αε：-2300×10-6/℃( -60~120 ℃) - (1500~1600)×10-6/℃( +20~80 ℃) ;二氧化钛及含钛盐类是十分重要的温度补偿型陶瓷介电材料。Ti02瓷的主晶相为金红石。; ; ; 由此可见，金红石结构最稳定、最紧凑、介电系数最大、性能最好，锐钛矿最差。然而，工业用TiO2主要是锐钛矿和微量的金红石，因此，必须在1200℃~1300℃氧化气氛中预烧，使TiO2全部转变为金红石结构，同时也使产品在烧结时不致因晶型转变、体积收缩过大而变形或开裂。 ; (2) 钛离子变价及防止措施 钛原子的电子排布：1s22s22p63s23p64s23d2，4s的能级比3d稍低，3d层的电子容易失去，可为Ti4+、Ti3+、Ti2+，可见Ti4+易被还原（Ti4++e→Ti3+=Ti4+·e[e-弱束缚电子]）;Ti4+→Ti3+的原因： a、? 烧结气氛 b、? 高温热分解： c、? 高价（5价）杂质： d、? 电化学老化 ; ; ; ; ; 防止Ti4+→Ti3+的措施：;(3) 用途 电容器介质：由于ε-tgδ与温度、频率有关，适宜于工作在低温高频下（85℃），通常作热补偿电容器。 作为 的负值调节剂。; 所谓高频热稳定性电容器瓷，就是指αε很小或接近于零。包括钛酸镁瓷，锡酸钙瓷等。 1、钛酸镁瓷 2、锡酸钙瓷 ; ;钛酸镁瓷的基本晶相为正钛酸镁Mg2TiO4与金红石TiO2。若要得到αε＝0的瓷料，且ε较小，则加入CaO或CaCO3。;钛酸镁瓷的工艺特点： 烧结温度高（1450~1470℃），范围窄5~10℃，否则，晶粒↑，气孔率↑，机电性能↓。 需在氧化气氛中烧结，避免TiO2还原。; ;(1) CaSnO3的结构及介电性能 CaSnO3属于钙钛矿结构，Sn4+处于O2-八面体中，但由于Sn4+半径比Ti4+大，因而不易产生Sn4+位移极化，也就不存在强大的有效内电场，这样其ε远比 CaTiO3小（ε=14），同时，其ε将按离子位移极化的机理随 T↑而增大（αε0）; ; ; ;?1) CaSnO3烧块的典型配方 CaCO3：SnO2=1.07：1，防止SnO2游离（SnO2电子电导大） ; ;分类及特点： BaTiO3：铁电体，介电常数大，但介电损耗较大，介电常数随电压变化大。 SrTiO3：顺电体，介电常数随电压变化小，介质损耗低，抗电强度高。但介电常数仅为250左右。 纯SrTiO3、BaTiO3难以满足要求，必须进行掺杂改性。 SrTiO3作为中高压电容器介质优于BaTiO3 。 反铁电体PLZT：介电常数与铁电陶瓷相近，耐压