MCM温度场稳态分析.docVIP

题目四：MCM温度场稳态分析 多芯片组件加散热器（热沉）的冷却分析 图1(a) 、图1(b) 所示分别为大功率球栅阵列MCM的截面图和俯视图，五个芯片采用倒装焊方式置于有机基板上，为了增加模块的散热能力，在芯片背面上加一热扩展面。表1所示为各材料的物理属性。 模型的热边界条件为： 热源为芯片的功耗，其中ASIC大芯片的功耗为2W，热流密度为62.79×106W/m3；其余的四个芯片中，三个微处理器芯片功率的功耗为1.5W，热流密度为61.538×106W/m3；存储器芯片的功耗为0.8W，热流密度为49.231×106W/m3。模型外部（热扩展面、基板、PCB）通过与空气的对流进行散热，在空气自然对流情况下，周围空气的温度为20oC，对流换热系数为15W/(m2·K)。 表4.1 MCM结构参数和材料属性 模型组件 材料 尺寸（mm）（W/(m·k)） 芯片 硅 7×7×0.65；5×5×0.65 82 芯片凸点 5Sn/95Pb 7×7，6×6，Ф0.3，Height:0.2,Pitch:0.75 36 基板 Al2O3+BeO 25×25×1.5 20 焊料球 96.5Sn3.5Ag 10×10, Ф0.6, Height:0.4,Pitch:1.27 33 PCB FR4 50×50×1.5 8.37,8.37,0.32 热介质材料 导热脂 Thick:0.15 1 粘接