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㈣折线近似法 ㈡负载特性曲线 1.在欠压区Re1Re2 当Re增大，Icmax 变化不大，所以Ic0和Ic1随Re增大会略有下降。 在欠压区，电流变化很小，近似认为是恒流源特性。 2.在过压区Re2Re3 Re增大，Icmax 的凹陷程度加深，Ic0和Ic1下降，但通角变化不大。 小结： 　负载特性 例：放大器处于临界状态，（1）当Re增加一半时Po如何变化？（2）当Re减少一半时Po如何变化？ 解：（1）当Re增加一半时，放大器由临界状态变化到过压状态，由于过压状态为近似恒压区，Vcm不变。Po减少一半。 （2）当Re减少一半时，放大器将由临界状态变化到欠压状态，由于欠压状态为恒流区，Ic1不变。Po减少一半。 三种状态的应用： A.欠压状态：P0、ηC均较小，应用较小主要作恒流源、基 极调幅，调整基极输入电压 。 B.临界状态：P0、ηC均较大，用于发射极末级。 C.过压状态：ηC最高，P0较小，Vcm（输出电压平稳）－ 作恒压源用，一般可用于发射器的中间级。 ㈢调制特性 调制：用一个信号来控制另一个信号的方法。 四个基本量： VCC，VBB，Vbm，Vcm 1.集电极调制（在Ic－VCE平面下分析） 定义： VBB，Vbm和Re一定时，IC与VCC之间的变化关系。 分析： Re不变，所以负载线的斜率不变 VCC增加，负载线向右平移，过压变为临界或欠压 VCC减小，负载线向左平移，欠压变为临界或过压 讨论： ⑴欠压区：当VCC增加时， Vcm、Ic0和Ic1也略微增加，IC 有完整波形。 特点：电流几乎不变，即VCC对IC1和Po影响很小。 ⑵过压区：当VCC下降，IC的凹陷加深， Ic0和Ic1也下降， 所以起到调制作用。 ⑶在过压状态时, Vcm随VCC而单调变化。所以要使 Vcm与VCC成线性关系，即振幅调制作用，集电极调制 工作在过压区。 实现方法： 书92页，图2－2－7 集电极调幅原理电路 图中： —— 载波 —— 调制信号 为谐振回路上的输出电压。 与谐振功放区别：集电极回路接入调制信号电压。 图 2–2–7　集电极调幅电路 　　令 VCC(t) = VCC0 + v?(t) 作为放大器的等效集电极电源电压。若要求 Vcm(t) 按 VCC(t) 的规律变换，根据集电极调制特性，放大器必须在 VCC(t) 的变化范围内工作在过压状态。 2.基极调制 定义： VCC和Re一定时，IC，Vcm与VBB之间的变化关系。 分析： ⑴ 在iC－vBE平面上分析，先做iC－vBE曲线 在欠压区，动态曲线和静态曲线重合。 过压时： ， 所以 ⑵在该平面曲线上设置三点：VBB1， VBB2和VBB3 VBB1 VBB2 VBB3 ⑶临界状态VBB2： ⑷ VBB2下降为VBB1，IQ变小，导通角变小。 ⑸ VBB2变大为VBB3，IQ变大，导通角变大。 讨论：在欠压状态时，vBE与Vcm，IC0和IC1成线性关系。 在过压状态时，随vBE的变化， Vcm，IC0和IC1基本 不变。 基极调制的目的是使Vcm随VBE的变化规律而变化, 所以功放应工作在欠压状态, 才能使VBE对Vcm有控制作用。 基极调制特性分析 基极调幅原理电路 图 2–2–8　基极调幅电路 —— 基极偏置电压 使 Vcm 按 VBB(t) 的规律变化，放大器工作在欠压状态。 基极调制的实现：书92页图2－2－8 载波状态VBB(0)选在欠压区直线的中点，即最大状态为临界状态。 * 第3章 高频谐振功率放大器 3.1 引言 3.2 丙类谐振功率放大器的基本原理 3.3 丙类功放的性能分析 3.4 晶体管功放的高频特性 3.5 谐振功率放大器电路 3.6 倍频器 3.7 功率合成技术 第3章 高频谐振功率放大器 功 放 按负载分 按工作频率分 按工作状态分 谐振功放（窄带）电抗性负载 非谐振功放（宽带）电阻性负载 低频功放－大多属于非LC谐振功放 高频功放－大多属于谐振功放 甲类、乙类、甲乙类功放 丙类、丁类功放 3.1