电子电路基础幻灯片教学讲义.ppt

0UGSUGS(off)，且 UDS0,UDG ?UGS(off) ?时 N G S D UDS ID UGS N N P+ P+ 越靠近漏端，PN结反压越大 1.3.1 结型场效应管 由于UDG ?UGS(off) ? ，导电沟道未被夹断，这时，导电沟道如同电阻，ID随着UDS增大而增大。 UCE ?1V IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 工作压降： 硅管UBE?0.6~0.7V,锗管UBE?0.2~0.3V。 UCE=0V UCE =0.5V 死区电压：硅管0.5V，锗管0.2V。 一、输入特性曲线 1.2.2 三极管的基本特性 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域满足IC=?IB称为线性区（放大区）。 当UCE大于一定的数值时，IC只与IB有关，IC=?IB。 1.2.2 三极管的基本特性 二、输出特性曲线 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域中UCE?UBE,集电结正偏，?IBIC，UCE?0.3V称为饱和区。 1.2.2 三极管的基本特性 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A