《大学分析化学教学课件》第3.4节.ppt

* * 第三节 沉淀的形成 沉淀的类型 晶形沉淀，如BaSO4，MgNH4PO4 凝乳状沉淀，如AgCl 无定形沉淀,如Fe(OH)3 沉淀的形成过程 构晶离子 晶核 成核 成长 沉淀微粒 沉淀 堆积 一、晶核的形成 均相成核：构晶离子相互缔合形成晶核 异相成核：外来固体微粒吸附构晶离子成核 临界值:成核作用由异相成核作用转化为异相成核和均相成核同时进行转折点处的Q/s值称为临界值。 Q/s临界值越大，该沉淀越不易进行均相成核作用，易获得大颗粒晶形沉淀，临界值小的易生成小颗粒凝乳状沉淀。 SO42 单位晶胞 Ba+ (BaSO4)2 SO42- [Ba(SO4)2]2- Ba2++SO42- BaSO4 BaSO4均相成核的过程 二、晶形沉淀和无定形沉淀 晶体的成长过程: 聚集过程——形成无定形沉淀 定向过程——形成晶形沉淀 定向速度主要取决于物质的本性，极性较强的盐类定向速度大。 聚集速度取决于溶液的过饱和度。 沉淀颗粒的大小与溶液过饱和度之间的关系： 第四节 沉淀的污染和纯化 一、共沉淀 （一）吸附共沉淀 产生原因：晶体表面的构晶离子具有剩余价力 吸附顺序：先吸附构晶离子形成吸附层，再吸附抗衡离子形成扩散层。 沉淀对杂质离子的吸附选择性：扩散层中能与构晶离子形成难溶盐或难电离化合物的离子优先被吸附，价数高浓度大的离子易被吸附。 减少吸附的方法：①加热溶液 ②洗涤沉淀③减小比表面积。 沉淀污染的原因：共沉淀和后沉淀 （二）形成混晶 杂质离子与构晶离子半径相近时，易形成相同晶格结构的混晶，如PbSO4和BaSO4，BaCrO4和BaSO4，KMnO4和BaSO4， （三）包藏作用 产生原因：由于沉淀生成得太快，被吸附杂质或母液被覆盖在沉淀内部而造成的共沉淀现象。 消除方法：分离除去杂质。 消除方法：陈化或重结晶