SiH2CL2NH3N2体系LPCVD+Si3N4薄膜因素分析.pdfVIP

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SiH2CL2NH3N2体系LPCVDSi3N4薄膜因素分析

第卷增刊光学精密工程 ! ! ! 5267!89 7 ! ’’ ! !!!!!!! ()*+,-./01*)+)2-3- )-110)- ! !!!!!!! 年月 ! ’ 4 4 #$$% !! :2;7#$$% ! ! ! ! 文章编号 ! 增 !$$?#?@ #$$% $$?$? ! ,J MNFOJ FO 体系 O 薄膜因素分析 NLMPE, : : ; : ; 谭刚!吴嘉丽 ! 中国工程物理研究院电子工程研究所!四川绵阳 # Y#!$$ 摘要!以二氯甲硅烷和氨气分别作为低压化学气相淀积! 氮化硅! 薄膜的硅源和氨源#以高纯氮气为载 I/Z5[ 8) : ? 气#在热壁型管式反应炉中反应生成 8) 薄膜$考察了工作压力%反应温度%气体原料组成等因素对 8) 薄膜淀积 : : ? ? 速率的影响$结果表明薄膜的生长速率随着工作压力的增大单调增大#随着原料气中氨气和二氯甲硅烷的流量 8) : ? 之比的增大单调减小$随着反应温度的升高#淀积速率逐渐增加#在 ^?$h 附近达到最大#随后迅速降低$在适当的工艺条件下#制备的 : 薄膜均匀%平整$较低的薄膜淀积速率有助于提高薄膜的均匀性#降低薄膜的表面粗糙度$ 8) ? 关键词! 体系! !氮化硅薄膜!淀积速率 8)C ZI :C : I/Z5[ ! ! # # # 中图分类号! 文献标识码! ?^?7! D ! ! 5)$+#,#(),O *’,)/,+. 6$#0()*’ 8 ; ,J MNFOJ FO ##*. 6 NLMPE : : ; : 8