存储器扩展彻底研究——剖析nWE.docVIP

存储器扩展彻底研究——剖析nWE, nWBE, nBE三者之间的关系 1．存储器扩展地址、数据线的连接方法重点参见2440手册，主要涉及地址对齐问题，较容易理解，此处不作论述。 2． nWE, nWBE, nBE三者之间的关系 （1）nWE为写使能信号。 （2）nWBE为“写字节使能(write byte enable)”信号，而nBE 为高/低字节选择信号。nWBE与nBE共用引脚，可以通过对相关寄存器设置来进行功能选择。 （3）什么时候需要nWBE而不是nWE？ nWE和nWBE都带有写使能的功能。但既然有nWE，为什么还需要nWBE？这是因为，当使用几片储存芯片进行数据位扩展时，有时需要对芯片分开写数据，此时可使用nWBE。 在图5-4中，仅有一片8bit的ROM，因此仅需要nWE，而不需要nWBE。而在图5-5中，用了2片8bit的ROM，如果不使用nWBE，则写操作是对2片ROM同时进行的，这样，当执行写字节指令时可能会破坏另一芯片中的数据。（注意nWBE的信号是自动产生的。）从这个角度来说，nWBE有字节数据屏蔽的功能。后面我们也会看到，SDRAM中有DQM信号也是用来进行数据屏蔽作用的，那么它们之间区别何在？ （4）nWBE, nBE有什么区别？什么时候应该配置成nBE？ 根据手册描述“nBE[3:0] is the AND signal nWBE[3:0] and nOE”，即nBE是nWBE和nOE的“与”信号，这句话给了我们非常重要的启示，应该说深刻揭示出了nWBE, nBE之间的本质、内涵。 首先看一下真值表： nWBE nOE nBE 说明 1 1 1 nWBE, nOE均无效（低电平有效），于是nBE无效 0 0 0 nWBE, nOE任意一个有效（低电平有效），则nBE有效 1 0 0 0 1 0 注意到nWBE[3:0]，nOE仅一根信号线。由此可见，nBE就是字节选通信号（读、写选通）。读的时候，多片均选通，写的时候，分片进行选通。其实质，nBE可看作字节片选信号。 那么，能不能把上图5-5中nWBE换成nBE？ 如果这样连接，我们思考一下有什么问题：注意表格阴影行，当nWBE无效而nOE有效，nBE有效，这会使存储器的nWE有效，致使读写信号混乱，显然不行。 事实上，到底用什么，应该根据存储器芯片来决定。 究竟什么时候需要nBE呢？手册上给出的SRAM连接图5-8，5-9给出了示例。同样我们要问，图5-8中能不能把SRAM的nWE接nWBE？如果这样接，芯片的nBE信号就无法解决，因为nBE和nWBE不能同时工作，这样就无法单独操控片内的高字节与低字节读写。这里的nBEx就像是片内的高字节与低字节的片选信号。 再问，能否将图5-8中nBE信号换成nWBE信号（硬件连接不变，寄存器配置改变）? 当按字节写芯片，没有问题，这时候可以产生有效的nWBE信号，以选择U/L字节；而当需要按字节读芯片时，nWBE无效，无法提供正确的nUB/nLB选择信号，就无法读出数据，可见行不通。注意，似乎无法真正做到按字节读芯片，因为只要nOE有效，nBE一定有效，这样势必造成nBE0,nBE1同时有效。即便如此，应该不会有什么麻烦，大不了将不需要的字节数据丢弃即可。 ? ? 3．????????????? 下面附上手册中所给出的其它存储器扩展图。 （1）ROM ? （2）SDRAM ? ? 注意nSCS[1:0]就是nGSC[7:6],参看三星官方评估板电路图。 这里重点关注DQM[3:0]。经查2440手册，DQM与nWBE引脚是复用的。参考友善之臂提供的mini2440手册中所提供的SDRAM电路（同三星官方）： ? 可见，DQM正是连接到了nWBE。又参考SDRAM的数据手册，对DQM的描述：“Controls output buffers in read mode and masks input data in write mode（即：在读模式下控制输出缓冲；在写模式下屏蔽输入数据。）”。 我们的问题是：为什么DQM连的是nWBE而不是nBE？能不能为nBE？ 下图是SDRAM的数据手册中截取的真值表，从中可以发现，读写控制和DQM毫无关系。DQM主要在读、写时起屏蔽作用。读-写是通过nWE的电平状态来控制的。 倘若DQM连nBE，需要写字节屏蔽信号，则与nWBE没有分别；读的时候，若nWBE无效，nBE是否有效取决于2440的nOE——如果nOE无效，那么nBE完全与nWBE一致，而此处确实不需要nOE，所以我个人的结论认为它连nBE也是可行的（未知对否？需通过写程序验证）。 另外还有个问题：nWBE是什么时候有效的？读SDRAM时，需要控制的只是使nWE为高，但这时候nWBE会自动有效吗