用于相变存储器的硫系化合物及器件研究.pdf

摘要 摘 要 在2006年第21届非挥发性半导体内存学会上称“32nm以后是相变存储器的时 代”。相变存储器由于其工艺简单，操作速度快，疲劳和保持特性好，与CMOS 工艺兼容，是下一代非挥发存储器的有力的竞争者。但是相变存储器由于本身的 特点所限，存在着RESET电流大，阻值分布问题，热稳定性问题。本文正是围 绕RESET电流和提高PCRAM热稳定性两个关键点分成五章进行了相关研究。 第二章测量了退火温度对Ge2Sb2Te5电学性能和结构的影响。发现随着退 火温度的增加，GST薄膜的电阻率降低，非晶态与晶态GST电阻率的比大于104， 在退火过程中，发现电阻率下降有两个速度，随着退火温度的升高，薄膜电阻率 有再次升高的趋势。XRD测量显示随着退火温度身高，GST首先发生非晶向FCC 结构的转变，然后发生FCC结构向hex结构的转变。实验测量了FCC结构晶格 动峰和GeTe4极性键的振动峰。在非晶态，这两种峰都有，晶态时GeTe。极性 键的振动峰比较少。Raman实验发现热退火与激光退火的Raman谱相似。研 究了薄膜厚度对GST性能的影响，分现随着薄膜厚度的减少，薄膜电阻率增加， 并且AFM显示10nm厚GST退火后薄膜上出现