无压烧结碳化硅陶瓷环的生产工艺设计（可编辑）.docVIP

无压烧结碳化硅陶瓷环的生产工艺设计 北方民族大学课程 设计报告 系部中心 材料科学与工程学院 目 录 1 产品简介 1 11 碳化硅陶瓷的发展情况 1 com 碳化硅行业发展现状 1 12 SiC结晶形态和晶体结构 2 13 氮化硅陶瓷的用途 2 14 本方案的目的及意义 3 2 工艺概述 3 21 SiC原料的制备 3 com 原料配方 3 com 浆料的制备过程 4 com 喷雾造粒 4 22 碳化硅陶瓷的成型 4 com 钢模压制成型 4 23 碳化硅陶瓷的烧结 4 com SiC陶瓷烧结特点 5 com 添加剂的作用 5 com SiC的烧结方法 6 24 加工方法要求 10 com 砂轮的选择 10 com 磨削参数的选择 10 com 冷却液的选择及加工 11 3 生产技术要求 11 31 SiC粉体的制备技术要求 11 32 喷雾造粒的技术要求 11 33 坯料的成型技术要求 12 com 成型方法要求 12 com 干压成型工艺参数控制 13 34烧结技术要求 13 4 生产设备 14 41 生产设备的选择 14 42 设备详述 14 com 三维混料机 14 com 喷雾干燥机 16 com 干压成形机 18 com 抛光机 20 com HZ-Y150型精密卧轴矩台平面磨床 21 com 显微硬度计 22 5 SiC陶瓷性能检测及结果分析 24 51 SiC陶瓷原料 24 com 粉料性能检测 24 com 结果分析 24 com SiC陶瓷环的性能 26 6 参考文献 28 7 小结 29 1 产品简介 11 碳化硅陶瓷的发展情况 com 碳化硅行业发展现状 中国是碳化硅SiC的生产大国和出口大国2009年碳化硅总产量达535万吨左右占全球总数的563居世界第一我们预计2010年截止9月份仅绿碳化硅产量就将达到80万吨碳化硅行业产量大但缺乏竞争力尽管产量足够供应中国制造的碳化硅产品大部分是低端和初步加工对于某些需求供应高附加值的成品和深加工产品存在很大的差距尤其是高性能工程陶瓷用以高端的研磨粉等产品的供应还远远没有满足核心技术大多仍由日本控制主要还是靠进口弥补国内市场的不足 随着传统矿物质能源日益枯竭以太阳能电池为代表的光伏产业得到迅速发展据我国正在制定的《新兴能源产业发展规划》显示到2020年可再生能源消费占一次能源消费中的比例要达到15光伏产业发展趋势总体呈现稳中有升碳化硅是光伏产业链上游环节晶硅片生产过程中的专用材料受光伏行业发展的带动碳化硅行业通过产品结构升级和下游需求的扩展带来了一些机会尽管如此由于碳化硅生产属于高耗能高污染受到能源短缺的阻碍和国家能源节约的政策影响还有一些具体审查和批准新项目受到闲置比如低电价优惠的有关政策已经被取消目前国家严格控制新项目原有6300KVA以下规模的碳化硅冶炼要求强制关停所以碳化硅行业的未来发展将面临很多不确定性 com 碳化硅行业展望 碳化硅行业要解决发展中资源环境等方面的压力应该着眼于技术引领行业进步在碳化硅生产中关注生产制造的绿色低碳化依靠技术升级提高生产规模利用规模优势降低单位能耗注重生产过程中如碳化硅回收粉尘处理水的循环再利用等降低资源利用根据我们预测预计2010年市场对绿碳化硅块需求量将突破120万吨耐火材料和磨料磨具是碳化硅的传统低端应用领域附加值低碳化硅本身用途极为广泛加强其新用途新应用市场的开发拓宽经营思路是碳化硅行业今后健康发展的必由之路 12 SiC结晶形态和晶体结构 碳化硅是共价键非常强的化合无其晶体结构的基本结构单元是SiC4和SiC4配位四面体通过定向的强四面体SP键结合在一起并有一定程度的极化Si的电负性18C的电负性为26由此可以确定Si-C键的离子键性仅占12左右四面体共边形成平面层并以定点与下一叠层四面体相连形成三维结构由于四面体的堆积次序的不同可以形成不同的结构至今已发现几百种变体常见的晶型有六方晶系的α－Si和立方晶系β－SiCα－Si有上百种变体其中最主要的是4H6H15R等4H6H属于六方晶系在2100℃和2100℃以上是稳定的15R-SIC为菱面斜方六面晶系在2000℃以上是稳定的 H和R代表六方和斜方六面型 β－SiC只有一种属立方晶系密度为3215gcm3 β－SiC在2100℃以下是稳定的高于2100℃时β－SiC开始转变为α－Si转变速率很慢到2400℃转变速率迅速这种转变在一般情况下是不可逆的在2000℃以下合成的SIC主要是β－SiC在2200℃以上合成的主要是α－Si而且以6H为主 13 氮化硅陶瓷的