第2章 mcs-51单片机的构成.pptVIP

山东科技大学 单片机原理及应用 高正中 第2章 MCS-51单片机的结构与组成 2.1 MCS-51单片机的构成 MCS-51微处理器的结构 1）核内总线 ※ 数据总线：8位(D0-D7) ※ 地址总线：8位(A0-A7) 2）核外总线 ※ 数据总线DB：D0-D7 ※ 地址总线AB：A0-A15 (可管理片内及片外RAM-XRAM/ROM) 核内与片内、核外与片外； SFR共128字节地址空间，控制内部特殊功能单元的实现。 使用部分单元：P0-P3、C/T、INT、Serial…… 2.2 MCS-51/52的存储器结构 核内RAM结构 SFR可读可写，可视为专用RAM。均可以进行字节寻址，其中字节地址能被8整除的可以位寻址。 特殊功能寄存器位地址 ? ACC累加器 地址0E0H，在指令中用A表示，可位寻址【ACC.X】。 ? B寄存器 地址0F0H，可位寻址，主要用于乘除法，也作通用的8位数据缓冲单元。 ? SP 地址为81H，8位堆栈指针，只能字节寻址，复位值为07H。 堆栈： 栈底： 栈顶【堆栈指针】SP； 堆栈区设置（设定栈底）： 堆栈 堆栈: 是在核内RAM中开辟的暂存区,一般设在3F-7FH； 作用：保护现场、保护断点 应用场合：子程序调用、中断操作 在响应中断或子程序调用时，发生入栈操作，自动将16位的PC值入栈，PSW值并不自动入栈。 特点：先进后出，后进先出 指令：入栈PUSH，出栈POP ※ PUSH和POP都是对栈顶单元进行的。SP指示栈顶. ※ SP始终指向最后压入或即将弹出的数据单元，即栈顶。 ※ SP为一个8位寄存器，它的内容是栈顶存储单元的地址。 关于进栈和出栈 进栈PUSH： 先SP+1再写入数据; 出栈POP： 先读数据,再SP－1; 进栈、出栈有两种方式： 1、自动方式：执行子程序、中断响应时。 2、指令方式：PUSH、POP 关于堆栈区的划定 ※ 堆栈深度要有足够的容量。 ※ 初始化SP值，则SP～7FH均为堆栈区。 ※ 系统复位后，SP＝07H，则实际堆栈从08H开始，与1区R重重叠。 通常SP设在60H以后，即在用户RAM（30H～7FH）之间开辟。(52系列，可设SP=80H) ? I/O端口P0～P3 为P0～P3引脚的锁存器。可位寻址。 地址0D0H，8位寄存器，可位寻址。 PSW.7 PSW.6 PSW.5 PSW.4 PSW.3 PSW.2 PSW.1 PSW.0 溢出标志OV： 作有符号数加法、减法时由硬件置位或清除，以指示运算结果是否溢出。 注： ?其他SFR： 串行口控制寄存器SCON； 定时/计数器方式控制TMOD； 定时器控制TCON； 中断允许寄存器IE； 电源方式控制PCON。 ※ MCS-51中，核内RAM与核内I/O统一编址。 ※ 核外16位地址线，寻址空间64k,与核外I/O统一编址。 ※ 读写信号：WR\、RD\。 ※ 位于核外【片内或片外】，片内、片外XRAM地址不可重叠。 程序存储器和XRAM 配置图 ※ MCS-51中程序存储器与RAM和XRAM是分别单独编址的。 ※程序存储器地址为16位，读线/[PSEN]。程序存储器都属于核外总线范围。 ※程序存储器可为片内或片外，也可同时使用【/EA选择】。 访问核内RAM、核外RAM、ROM存储器的方法 1、指令：使用MOV、MOVX、MOVC三个不同的指令； 2、控制引脚： ?片外ROM：使用控制信号/PSEN; ?片外RAM：使用控制信号/RD、/WR; ?/EA引脚接地，从片外ROM开始; 0000H～0FFFH 位于片外ROM; ?/EA引脚接高电平，从片内ROM开始; 0000H～0FFFH位于片内ROM，1000H-片外; 3、ROM和核外RAM一定要用16位地址[MOVX\MOVC]; 核内RAM 和SFR，只能使用8位地址【MOV】; 4、52子系列高128B普通RAM，只可采用间接寻址; 2.3 时钟电路与复位电路 1. 振荡电路 指令执行时序图 2.3.2 复位方式与电路 1. 复位使单片机进入某种确定的初始状态： ▼ PC值归零（0000H）； ▼ 各个SFR被赋予初始值： ▼退出处于节电工作方式的停顿状态、退出一切程序进程、退出程序的死循环，重新开始。 2. 简单复位电路 ▼上电复位电路（Time10ms） ▼上电＋按键复位电路 一般采用40PDIP塑封。 共可分为四个部分： 1、电源: 2个 2、外接晶体振荡器2个 3、控制信号引脚4个 4、I/O引脚3