[经济学]第七章 半导体存储器.pptVIP

第七章 半导体存储器 §7-1 概述 ROM 由制造工艺分： §7-2 只读存储器ROM §7-3 随机存储器RAM §7-4 存储器容量的扩展 * * 7-1 概述 7-2 只读存储器ROM 7-3 随机存储器RAM §7-4 存储器容量的扩展 §7-5 用存储器实现组合逻辑函数 随机存储器（Random Access Memory RAM） 半导体存储器能存储大量二值信息，是数字系统不可缺少的部分 1、衡量指标 存储速度 只读存储器（Read-Only Memory ROM） 存储量=存储单元数×每个单元的位数（或数据线位数） 2、种类 掩模ROM 可编程ROM：PROM (Programable ROM) 可擦除可编程ROM：EPROM (Erasable PROM) 电可擦除可编程EEPROM／E2PROM：(Eclectically Erasable PROM) RAM 静态RAM：SRAM 动态RAM：DRAM 双极型 MOS型 §7-2-1 掩模只读存储器ROM 根据用户要求专门设计的掩模板把数据：“固化”在ROM中 电路结构 地址输入 存储矩阵 地址译码器 输出缓冲器 数据输出 地址译码器：将输出的地址代码翻译成相应的控制信号，把指定单元选 出，其数据送输出缓冲器 输出缓冲器 提高存储器带负载的能力 实现输出状态三态控制，与系统总线连接 例1 2位地址输入，4位地址输出，二极管存储器 A1A0：两位地址代码，能指定四个不同地址 地址译码器：将四个地址译成W0?W3四个高电平输出信号 A1 A0 W0 W1 W2 W3 0 0 0 1 0 0 1 1 0 0 1 0 1 1 0 0 1 0 0 0 1 0 0 0 D3 D2 D1 D0 1 1 0 0 0 1 1 1 0 1 1 0 0 1 0 1 存储矩阵：二极管编码器 W0=1 EN=0 W1=1 EN=0 W2=1 EN=0 W3=1 EN=0 输出缓冲器：提高带负载能力 数据表为： D3 D2 D1 D0 1 1 0 0 0 1 1 1 0 1 1 0 0 1 0 1 A1 A0 0 0 0 1 1 0 1 1 位线 地址线 字线 两个概念： 存储矩阵的每个交叉点是一个“存储单元”，存储单元中有器件存入 “1”，无器件存入“0” 存储器的容量：“字数 x 位数” §7-3-1 静态随机存储器RAM 电路结构 地址输入 存储矩阵 行地址译码 读 写 控 制 I/O 地址译码器：行地址译码选出一行，列地址译码选出一列（或几列） 列地址译码 地址输入 CS R/W CS＝0 片选有效，可进行读写 R/w＝1 执行读操作 R/w＝0 执行写操作 2114RAM（1024×4位） §7-4-1 位扩展方式 8片1024×1位的RAM，构成1024×8位的RAM §7-4-2 字扩展方式 4片256×8位的RAM，构成1024×8位的RAM A9 A8 0 0 Y0=0 A7A6A5A4A3A2A1A0 000000000 ……CS=0 字线 0?255 0 1 Y1=0 …… 000000000256?511 1 0 Y2=0 000000000 ……512?767 1 1 Y3=0 000000000 ……768?1023 字位扩展方式 【例】用1K×4位RAM扩展成一个4K×8位存储器 用8片1K×4位RAM芯片，经字位扩展构成的存储器 D3 D2 D1 D0 1 1 0 0 0 1 1 1 0 1 1 0 0 1 0 1 A1 A0 0 0 0 1 1 0 1 1 §7-5 用存储器实现组合逻辑函数 ROM的数据表如下：如果将A1、A2作为数据的输入逻辑变量， D3 、 D2、 D1、 D0作为输出逻辑变量。则D3 、 D2、 D1、 D0就是一组A1、A0的组合逻辑函数。 例7.5.1 用ROM设计八段字符译码器，以输入地址A3A2A1A0为DCBA，以输出数据D0D1……D7作为a,b,……,g,h *