[信息与通信]第三章 集成电路基本模块设计1.pptVIP

第三章 集成电路基本模块设计 一、教学目的和要求： 1、掌握集成电路的基本单元模块的基本组成； 2、理解集成电路的基本单元模块的理想模型与实际实现的主要非理想特性； 3、了解实际电路的主要非理想特性对电路性能的影响和常见的改进方法； 4、理解集成电路设计过程中原理性和技术性的关键概念。 二、重点、难点： 1、集成电路设计过程中原理性和技术性的关键概念。 2、基本单元模块的基本组成；主要非理想特性对电路性能的影响和常见的改进方法。 第三章 集成电路基本模块设计 第一节 开关 一、理想电压控制开关的模型： 1、模型图 二、实际电压控制开关的模型 模型图 三、开关电路的实现及主要非理想特性： 1、用BJT实现开关： （1）电路： 2、用MOS管实现开关 （1）电路： （2）非理想特性： 1）沟通电阻： a)在开关导通状 态下，其两端电压 很小，而VGS很大， 此时，沟道电阻为： b)开关断开时， 　在电路的充电变换过程中，开关的导通电阻非常重要 ，要满足条件： 　 ＲonC1T （其中：T是φ1为高电平的时间） 3、漏电流的影响（开关截止时）（例） 4、寄生电容： 5、（寄生电容）改善措施： （1）采用虚拟MOS管 五、适用于低电源电压的开关电路 1、电路 第二节 有源电阻 主要讨论在集成电路设计中两种实现电阻的方法。 第一种：用有源器件实现电阻。 优点:电阻的尺寸最小。 第二种：用开关电容实现电阻。 优点:电阻的精度高，取决于时钟频率和电容的精度。 1、直流电阻 　（1）MOS管 　　1）电路： 3）小信号电导为： （2）双极晶体管 　　1）电路： 　（3）例：有源电阻 分压器，如图表示用一 个n沟MOS有源电阻和 一个p沟MOS有源电阻 产生一个直流电压Vout。 若VDD=5V，VSS=-5V， I=50μA。求Vout=1V时， M1和M2的W/L比值。 设VTN=+0.75V，VTP=-0.75V； K’N=24μA/V2,K’P=8μA/V2。 解：两管的衬底都分别接到它们的源极以使它们的体效应不产生影响。由于VGD=0，两管都处于饱和状态。因为流过两管的电流必须相同，而电压VDS1和VDS2已经给定，依 2、交流电阻 （1）交流电阻 （2）非理想素因影响 ①R的线性性受VDS限制； ②VT受VBS影响而影响R的线性性。 原理：M1、M2为两只完全相同的器件，加偏置使其VDS的影响互相抵消，由大信号MOS模型。 注意到VDS1=VDS2=V，并设互相匹配的晶体管允许电流I表示为： 2）交流差动电阻结构： ②双MOS管实现交流差动电阻结构 二、采用开关和电容器的方法实现交流电阻 这样一种单刀双掷开关在实际电路中，是由两个互不重迭的互补时钟信号驱动的MOS管组成的模拟开关，如4.2.8图（b）所示。 则单位时间内，由V1端送到V2端的平均电荷量，即电流的大小为： 2、浮地开关电容等效电阻： （1）电路原理及电路图 （2）工作原理： 当驱动时钟φ为高电平时，开关S1闭合，S2断开，这时电容器清零。 第三节 电流源和电流阱 一、理想的电流源 1、理想电流源的特性： 是一个二端元件，它的电流在源的端电压为任何值时都是常数。电流源的端电压取决于外部电部。 二、实际电流源和电流阱 1、电流源使用的基本拓朴结构如下图：VP和VN分别为最正和最负的直流电压。 2、实际电流源、电流阱的伏安特性 三、电流源、电流阱的基本实现电路 （2）MOS管电流阱（设 = 0） 四、改善性能的电路（R0、VMIN） （2）特性：（以BJT管为例） （3）实际实现电路： ②VMIN 为使VMIN最小，关键选图(a)中的VBB2和图（b）中的VGG2。 对图4.3.6(a), VBB2=VCE1（饱和）+VBB，则可使 VMIN=2VCE（饱和） 对图4.3.6(b)，VGG2=VDS1（饱和）+VGS2，则可使 VMIN=2（VGG1-VT1） 2、正反馈法： （1）电路图： MOS管 3、调节型共源共栅电流阱 第四节 电压基准和电流基准 一、电压基准或电流基准： 1、概念：指受电源电压波动和环境温度变化影响很小的精密直流电压源或电流源电路。 （2）用分数温度系数ICF定义基准对温度依赖关系为： 3、举例： 依灵敏度定义：