[高等教育]第1章半导体器件基础第3讲v20.pptVIP

1.4 半导体三极管 半导体三极管，也叫晶体三极管。由于工作时，多数载流子和少数载流子都参与运行，因此，还被称为双极型三极管(Bipolar Junction Transistor，简称BJT)。 1.4.1 三极管的结构 三极管放大的外部条件 3. 各电极电流关系及电流放大作用 1.4.3 三极管的特性曲线（共发射极接法） 三极管的特性曲线是指三极管各电极电压与电流之间的关系曲线，它是三极管内部载流子运动的外部表现。 （1）uCE=0V时，相当于两个PN结并联。 2. 输出特性曲线 iC=f(uCE)? iB=常数 现以iB=60uA一条加以说明。 输出特性曲线可以分为三个区域: 1.4.4 三极管的主要参数 1.电流放大系数 2.极间反向电流 3.极限参数 Ic增加时，? 要下降。当?值下降到线性放大区?值的70％时，所对应的集电极电流称为集电极最大允许电流ICM。 1.4.5 三极管H参数等效电路 判断场效应管类型方法： 1）根据uDS值的极性判别导电沟道类型 ----------正为N沟道 、负为P沟道； 2）若uGS等于零时，iD为最大电流则为结型场效应管，否则为绝缘栅场效应管； 3）对于绝缘栅场效应管：若当uGS等于零时iD为零，则为增强型绝缘栅型场效应管；否则为耗尽型绝缘栅型场效应管。 第一章作业：1.7、 1.8、 1.13、 1.22、 1.23、 1.26、 1.27 二、耗尽型 N 沟道 MOSFET S G D B 与 N沟道增强型MOS管不同的是， N沟道耗尽型MOS管的绝缘层中参入了大量的正离子，所以，即使在uGS=0时，耗尽层与绝缘层之间仍然可以形成反型层，只要在漏-源之间加正向电压，就会产生iD。 若uDS为定值，而uGS 0， uGS ? ? iD ?；若uGS0， uGS ? ? iD ? ，当uGS减小到一定值时，反型层消失，导电沟道被夹断， iD=0。此时的uGS称为夹断电压uGS(off) 。 uGS ? uGS(off) 时，全夹断。 若uGS uGS(off)，且为定值，则iD 随uDS 的变化与N沟道增强型MOS管的相同。但因uGS(off) 0，所以uGS在正、负方向一定范围内都可以实现对iD的控制。 二、耗尽型 N 沟道 MOSFET 输出特性 uGS /v iD /mA 转移特性 IDSS UGS(off) 夹断 电压 饱和漏 极电流 当 uGS ? UGS(off) 时， uDS /v iD /mA uGS = ? 4 v ? 2 v 0 v 2 v O O 转移特性曲线与输出特性曲线 三、P 沟道 MOSFET 增强型 耗尽型 S G D B S G D B N 沟道增强型 S G D B iD P 沟道增强型 S G D B iD 2 – 2 O uGS /v iD /mA UGS(th) S G D B iD N 沟道耗尽型 iD S G D B P 沟道耗尽型 UGS(off) IDSS uGS /v iD /mA – 5 O 5 FET 符号、特性的比较 O uDS /v iD /mA 5 v 2 v 0 v 0 v – 2 v – 5 v N 沟道结型 S G D iD S G D iD P 沟道结型 uGS /v iD /mA 5 – 5 O IDSS UGS(off) O uDS /v iD /mA 5 v 2 v 0 v uGS = 0 v – 2 v – 5 v 1.5.3 场效应管的主要参数 开启电压 UGS(th)(增强型) 夹断电压 UGS(off)(耗尽型) 指 uDS = 某值，使漏极 电流 iD 为某一小电流时 的 uGS 值。 UGS(th) UGS(off) 2. 饱和漏极电流 IDSS 耗尽型场效应管，当 uGS = 0 时所对应的漏极电流。 IDSS uGS /v iD /mA O UGS(th) UGS(off) 3. 直流输入电阻 RGS 指漏源间短路时，栅、源间加 反向电压呈现的直流电阻。 JFET：RGS 107 ? MOSFET：RGS = 109 ? 1015?? IDSS uGS /v iD /mA O 4. 低频跨导 gm 反映了uGS 对 i