上海交通大学827材料科学基础最后三套模拟卷.doc

上海交通大学考研最后三套模拟题 ——827材料科学基础  目录 上海交通大学2014硕士研究生入学考试模拟试题（一） 1 上海交通大学2014硕士研究生入学考试模拟试题（二） 6 上海交通大学2014硕士研究生入学考试模拟试题（三） 10 模拟试题（一）参考答案 13 模拟试题（二）参考答案 15 模拟试题（三）参考答案 17  上海交通大学2014硕士研究生入学考试模拟试题（一） 考试科目：材料科学基础 科目代码: 827 适用专业: 材料学院所有专业（不含塑性学院，具体以2014年招生简章为准） （答案必须写在答题纸上） 单选题（每题3分，共75分） 1、高分子链的几何形态是由 所决定的。 A、主链结构 B、单体分子的官能度 C、交联度 2、在四方晶体中[100]晶向是 。 A、2次对称轴 B、4次对称轴 C、3次对称轴 3、下列都属于面心立方点阵结构的是 。 A、CaF2、闪锌矿 B、NaCl、纤锌矿 C、CsCl、金红石 4、若在MgF2中溶入LiF则在晶体中最可能出现的缺陷是 。 A、间隙Li+离子 B、Mg2+离子空位 C、F-离子空位 5、晶体宏观对称元素6等同于 。 A、3+i B、3 C、3+m 6、两个互相平行的螺型位错和刃型位错之间 。 A、引力作用 B、斥力作用 C、不发生作用 7、对于菲克第一定律，下列描述正确的是 。 A、描述了一种非稳态扩散 B、质量浓度不随距离而变化 C、质量浓度不随时间而变化 8、下列扩散机制中，扩散激活能最小的是 。 A、置换扩散 B、自扩散 C、间隙扩散 9、体心立方有 滑移系。 A、12 B、24 C、48 10、对于层错能较高的的金属和合金，在其变形过程中，更容易出现 。 A、胞状结构 B、位错塞积群 C、位错较为均匀分布的复杂网络 11、变形金属中储能绝大部分用于形成 。 A、宏观残余应力 B、微观残余应力 C、点阵畸变 12、在晶粒长大过程中，下列描述正确的是 。 A、平均晶粒直径随保温时间的平方而增大 B、第二项粒子尺寸越小，极限的晶粒平均直径越大 C、第二项粒子所占体积分数越大，极限的晶粒平均直径越小 13、蠕变寿命和总的伸长主要决定于蠕变曲线的 。 A、瞬态或减速蠕变阶段 B、稳态蠕变阶段 C、加速蠕变阶段 14、在单元相图的P-T相图内，当低温相向高温相转变时体积膨胀，则根据Clausius-Clapeyron方程dP/dT 。 A、大于0 B、小于0 C、等于0 15、均匀形核过程中，相变驱动力是 。 A、体积应变能变化 B、表面自由能变化 C、体积自由能变化 16、铸锭凝固过程中，结晶潜热只能通过固相而散出，则界面生长形态不可能是 。 A、台阶状 B、平面状 C、树枝晶 17、下列不能达到细化晶粒效果的是 。 A、增加过冷度 B、静置 C、加入形核剂 18、高分子熔融过程中，熔点 。 A、随晶片厚度的增大而增大 B、随晶片厚度的增大而减小 C、与晶片厚度无关 19、发生调幅分解必须满足的条件是 。 A、dG/dx0 B、dG/dx0 C、d2G/dx20 D、 d2G/dx20 20、关于区域熔炼的说法错误的是 。 A、区域熔炼提纯效果优于正常凝固 B、区域熔炼方程可用于多次熔炼后的溶质分布 C、区域熔炼方程不能用于最后一个熔区 21、关于G、R和w0对固溶体晶体生长形态影响正确的是 。 A、G越大，越倾向于平滑界面 B、R越小，越倾向于等轴树枝晶 C、w0越大，越倾向于平滑界面 22、铸件凝固时，表面“冒汗”是 的明显征兆 A、正常偏析 B、反偏析 C、比重偏析 23、关于三元相图的垂直截面图说法正确的是 。 A、可以表示相浓度随时间变化的关系 B、可以了解冷凝过程中的相变温度 C、可以通过直线法来确定两相的质量分数 24、对于二级相变的描述正确的是 。 A、二级相变时，熵不变 B、二级相变时，必定压热容不变 C、二级相变时，压缩系数不变 25、导带中的电子数目远超过价带中的空穴数，这种半导体是 。 A、本征半导体 B、n-型非本征半导体 C、p-型非本征半导体 二、综合题（每题3分，共75分） 1. 指出下面四个图中A、B