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ENIG用干膜
* Jun. 2009 Confidential * 显 影 显影后后处理 ?后烘 ?UV光 1. 关于显影后后处理条件 显影后后处理使耐电镀性增强 后处理无 后处理有 ① 后烘 温度 130～150℃ 時間 30～40分 ② 后UV 露光量 0.5～1.0J/cm2 写真4 Cross Cut 测试外观,有后处理及无后处理对比 (当时的测定数据) (耐电镀性代替测试) 耐电镀性?增强去膜性 2. 有关无电解镍 无电解镍电镀 因为D/F,S/M中的成分溶出,使电镀药水污染,从而沉积效率受到影响。 表１ 无电解镍的电镀药水污染性评价结果 (当次测试结果) ※ 新药水沉积厚度设定为100 D/F处理量：1.0m2/L D/F处理条件：曝光；ST=23/41， 显影后处理无 D/F浸泡条件：85℃，5小时 沉镍,条件：85℃,20分 无电解镍(ENIG) 【参考】 无电解镍电镀药水种类 (一例) 中磷类型(磷含有率=7～10%) 75～85℃ 高磷类型(磷含有率=10～12%) 80～85℃ 无电解镍溶液 ?药水种类(中磷,高磷) ?溶液温度 ?电解时间 項 目 我司品(50um) 他司品(50um) 新 液 电镀厚度(um) 2.55 1.80 3.00 析出率(%) ※ 85 60 100 3. 有关去膜 去膜 去膜药水种类 去膜药水温度 去膜药水压力 显影后后处理 照片5 去膜不净外观对比 4-1．去膜不净 S/R部 G/E部 去膜残留无 去膜残留有 表2 各种去膜药水,显影的后处理条件 对去膜的影响 (当次测试结果) 3-2. “去膜药水及显影的后处理条件”对去膜的影响 药水温度：50℃ (浸泡实验) 药水浓度：NaOH=3.0wt%， 胺类①=5vol%-RR3( ATO公司制造) 胺类②=10vol%-マクレスFP (日本表面化学(株)製) 胺类褪膜药水浓度为上述两家公司提供 + NaOH 胺类① 胺类② 時間(秒) 117 110 85 去膜不净 无 无 无 后加热 時間(秒) 125 100 75 130℃，30分 去膜不净 无 无 无 后UV光 時間(秒) 150 135 110 1J/cm 2 去膜不净 少 无 无 后加热 ＋ 時間(秒) 135 115 95 后UV光 去膜不净 无 无 无 項 目 后处理无 3-3. 增强褪膜性的总结 褪膜药水剥离能力增强之对策 有机系褪膜药水 ＞ NaOH ※在药水浓度及温度过高时,容易使绿油变色,故请谨慎对应。 (2) 显影之后的各种后处理条件对去膜性影响的贡献度 后烘 ＞后烘+UV光 ＞UV光 ※显影后未处理,而渗镀等异常发生时,请采取”显影后烘”,或”后烘+UV光”的方法 。 (3) S/R的固化条件对去膜性影响的贡献度 ① 烘干温度 ② 烘干时间 ③ UV光进行 以上方法均会使绿油中的未反应单体及环氧基的残留减少。 所以使感光性干膜与绿油残留物的反应机会减少,从而使褪膜更加容易.
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