TFT-LCD设计及制作 2 —TFT原理.pptVIP

TFT-LCD设计及制作（2） ■ TFT工作原理 ■ TFT基本结构■ 各种TFT技术 MOSFET 绝缘栅型场效应管（Insulated Gate Field Effect Transistor，缩写为IGFET） 的栅极与源极、栅极与漏极之间均采用Si02绝缘层隔离，因此而得名。 在IGFET中，目前应用最为广泛的是MOS场效应管（即金属-氧化物-半导体场效应管:Metal-Oxide-Semiconductor-Field-Effect-Transistor,缩写为MOSFET） MOS结构是MIS（Metal-Insulator-Semiconductor）结构中的一种，当绝缘膜采用氧化膜时就是MOS结构，在硅器件中，氧化膜是通过硅衬底的热氧化形成的。 它的栅-源间电阻比结型场效应管大得多，可达1010Ω以上。它比结型场效应管温度稳定性好、集成化时工艺简单，是微处理器、半导体存储器等超大规模集成电路中的核心器件和主流器件，也是一种重要的功率器件。 根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。 所谓增强型是指：当VGS=0时漏极电流也为零，管子是呈截止状态；加上正确的VGS后，多数载流子被吸引到栅极，从而“增强”了该区域的载流子，形成导电沟道。因而增强型MOSFET就是指必须施加栅压才能开启的一类MOFET。 耗尽型则是指：当VGS =0时漏极电流不为零，即形成沟道；加上正确VGS的时，能使多数载流子流出沟道，从而“耗尽”了载流子，使管子转向截止。因而耗尽型MOSFET是指必须施加栅压才能关闭的一类MOSFET。 TFT 与MOSFET 之比较分析 　TFT 与MO SFET 的工作原理比较 TFT 与MOSFET的工作原理相似, 当栅极施加正电压时, 在栅极和半导体层间会产生一个电场,在这个电场的作用下, 形成了电子沟道, 使源极与漏极之间形成导通状态, 在栅极所加的电压越大, 吸引的电子也愈多, 所以导通电流也越大; 而当栅极施加负电压时, 使得源极与漏极之间形成关闭状态。 在实际LCD生产中，主要利用a-Si：H TFT的开态（大于开启电压）对像素电容快速充电，利用关态来保持像素电容的电压，从而实现快速响应和良好存储的统一。 TFT 与MOSFET 的结构非常的相似。 TFT与MOSFET 相似也为一三端子元件, 在LCD 的应用上可将其视为一开关。 　TFT 与MOSFET 不同之处 1、沟道与源、漏极 MO SFET 的载流子沟道所形成的界面, 与源、漏极处于同一边, 因此, 载流子沟道形成后, 会直接连接至源、漏极, TFT 的电子沟道是形成于半导体层下方的界面, 而源?漏极却是在半导体层上方的界面, 因此, TFT 的电子沟道要连接到源、漏极, 必须再经过半导体层厚度, 载流子的流动需要经过这个低导电性的区域, 因而影响TFT 的导电特性。 2、栅极与源、漏极的重叠 MO SFET 的源、漏极掺杂, 是利用栅极本身作为掩模, 利用离子注入来形成, 具有自动对准的效果, 栅极与源、漏极之间并不会重叠。 而TFT 的源、漏极, 是另外用掩模来定义的, TFT 的导通特性包括了半导体层厚度本身造成的电阻, 如果栅极与源、漏极之间没有重叠, 会造成一段不会形成沟道的距离, 形成很大的阻值使其充电能力大幅降低。因此, 必须在栅极与源、漏极之间故意地形成重叠, 来避免 这样的情况。 3、栅极绝缘层的材料 MO SFET 的栅极绝缘层是在高温下形成的氧 化硅, 其本身和与硅半导体界面的品质都是极佳的。 而TFT 的栅极绝缘层, 由于基板耐温的限制而无法在高温下成长, 而仅能以等离子体沉积的方式形成。 TFT等效电路 1.右图为TFT一个像素的等效电路图，扫描线连接同一列所有TFT栅极电极，而信号线连接同一行所有TFT源极电极。 2.当ON时信号线的数据写入液晶电容，此时，TFT组件成低阻抗(RON)，当OFF时TFT组件成高阻抗(R)，可防止信号线数据的泄漏。 3.一般RON与ROFF电阻比至少约为105以上。 非晶硅TFT源漏电流与栅极电压的关系 没有光照的情况下，TFT开态电流与关态电流之比在7个数量级的水平，管子开关特性很好。 但在2000lx白光的照射下，如图中虚线所示，相同条件下关态电流迅速增大，使开态电流和关态电流之比减小到5个数量级，导致管子工作不稳定。 这是采用窄禁带光敏半导体硅材料的固有缺陷。 TFT与对比度 在TFT-LCD中，TFT的电学特性是确定显示器对比度的关键。 一般要求TFT开态电流与关态电流之比要达到107以上。如果TFT栅极电阻太大，使栅极脉冲延迟时间延长，则导致数据信号写入不足，会降低显示器的对比度 TFT的寄生电容与交叉串扰 一般认为，TF