半导体光子学第5章PPT.ppt

1 第五章 半导体发光二极管CHAPTER 5 LED(Light Emitting Diodes) 2 目 录 1. 引言 2. 能带图和伏-安特性 3. 发光二极管的分类 4. 发光二极管的工作原理 5. 发光二极管材料 6. 发光二极管器件结构 7. 超辐射发光二极管 8. 发光二极管的特性 9. 发光二极管的发展趋势 3 Solid State Lighting: The Light Emitting Diode 4 Evolution of Visible LEDs 5 Compound semiconductors used in visible light emitters 6 GaN 3.4 eV (UV) InN 0.8 eV (IR) InxGa1-xN Visible + UV Eg(x) = xEgInN + (1-x)EgGaN – bx(1-x) Compositional inhomogeneitiesphase separation for x 0.06 a c GaN 3.189 5.185 InN 3.545 5.703 InGaN Alloys 11% lattice mismatch 8 Chromaticity Diagram 9 Luminous efficiency 10 White Light: 3 LEDs 11 White Light: Purple+Phosphor LED PHOSPHOR 12 InGaN multiple quantum well laser diode (Nichia 1996) 13 Difficulty more indium more aluminum High Efficiency LEDs CW Lasers Degree of Difficulty AlN GaN InN Wavelength Nitride Semiconductors for Light Emitters 14 Nitride LEDs External Quantum Efficiency (%) Wavelength (nm) Underlying layer：GaN Underlying layer :AlGaN 15 (a)半导体的能带图，(b)态密度：单位体积单位能量中的能态数目g(E) ，(c)费米-狄拉克分布函数f(E)，(d) g(E)和f(E)的乘积，表示单位体积单位能量中的载流子(电子或空穴)的数目。 半导体能带、态密度、载流子浓度 16 半导体中普遍遵循费米-狄拉克函数f(E)： 导带中能量E处的电子浓度： 导带中电子的总浓度： 导带中的电子浓度 17 如果将导带中所有的态密度看作导带底处有效态密度Nc，那么可以将整个导带中的电子分布简化为玻尔兹曼分布： 导带中电子的总浓度： 导带中的电子浓度 18 如果将价带中所有的态密度看作价带顶处有效态密度Nv，那么可以将整个价带中的空穴分布简化为玻尔兹曼分布。 价带顶处空穴的有效态密度Nv为 价带中空穴的总浓度： 价带中的空穴浓度 19 (a)简并n-型半导体的能带图 (b)简并p-型半导体的能带图 简并半导体的能带图 20 本征半导体中的空穴浓度 导带中的电子浓度正好等于价带中的空穴浓度： 本征半导体材料的费米能级： 本征材料的电子浓度ni满足下式: 21 电导率 如果电子和空穴的迁移率分别为e和h，则半导体材料的电导率为： 对于n型半导体、并且施主浓度Ndni来说，其电导率为： 同理，如果受主杂质浓度为Na，并且比本征浓度ni大很多，那么室温下p=Na，电子的浓度，比p小很多，相应地p型材料的电导率为： 22 pn结的一些特性 a,,刚刚形成的pn结结构， p和n分别同体材料的浓度相一致。 b, 构成pn结后，电子和空穴的扩散形成空间电荷区(SCL)。 c, 载流子浓度同位置的关系，纵坐标采用了对数的坐标。 d, 电荷密度同位置的关系。 e-g 依次示出pn结附近的自建电场、自建电动势和电子与空穴的势能函数PE(x)同位置的关系。 23 依据电中性条件很容易推导出自建电场的大小为: 相应地自建电压的大小为： 电中性平衡时自建电动势为-eV0，它同材料的载流子浓度的关系为： pn结的一些特性 24 上两式还可以表达为： 如果材料的掺杂为浅能级杂质，并且室温下完全离化了，则 ， ，则V0可以表