模拟电子电路教材课件PPT.ppt

模拟电子技术基础; 《模拟电子技术基础》是电子信息科学与技术专业、通信工程专业、电子信息工程专业以及物理学专业本、专科的一门重要的专业核心课，具有很强的综合性、技术性和实用性。该课程的研究对象是电子元器件及其组成的电路（包括分立、集成电路）。主要研究常用半导体器件、基本放大电路、多级放大电路、集成运算放大电路、放大电路的频率响应、放大电路中的反馈、信号的运算和处理、波形的发生和信号的变换、功率放大电路、直流电源和模拟电子电路读图等内容。模拟电路已经广泛地应用于国防和国民经济的各个领域并极大地促进了相关领域的迅速发展，特别是模拟电路中的新器件、新技术、新方法的广泛应用，使得电子测量和探索自然规律的实验方法进入了一个新阶段，因此《模拟电子技术基础》具有重要的地位和作用。 ;《模拟电子技术基础》与其他课程的联系：;课程教学目标： ;教学内容与要求（64学时+实验30学时）学分：4+2 ;参考书目;1. 信号：是反映消息的物理量。 ;3. 电子电路中信号的分类 模拟信号 对应任意时间值t 均有确定的函数值u或i，并且u或 i 的幅值是连续取值的，即在时间和数值上均具有连续性。;4. 模拟电路 模拟电路：对模拟量进行处理的电路。 最基本的处理是对信号的放大。 放大：输入为小信号，有源元件控制电源使负载获 得大信号，并保持线性关系。 有源元件：能够控制能量的元件。;“模拟电子技术基础”课程的特点 ;第一章 常用半导体器件;;1.1.1 本征半导体;在硅和锗晶体中，原子按四角形系统组成晶体点阵，每个原子都处在正四面体的中心，而四个其它原子位于四面体的顶点，每个原子与其相临的原子之间形成共价键，共用一对价电子。;硅和锗的共价键结构;二、本征半导体的导电机理;2.本征半导体的导电机理;1.1.2 杂质半导体;一、N 型半导体;二、P 型半导体;三、杂质半导体的示意表示法;一. PN 结的形成;在电场力的作用下，载流子的运动称为漂移运动。;1、PN 结正向偏置 P 正N 负,导通;2、PN 结反向偏置 P负N 正，截止;三、PN 结的电流方程;四、PN 结的伏安特性;§1.2 半导体二极管;1.2.2 二极管的???安特性;温度对二极管伏安特性的影响;1.2.3 二极管的主要参数 P15; 1. 理想模型;若;理想二极管：开启电压=0 V，导通压降=0 V。 二极管：开启电压=0 .5V，导通压降?0.7V(硅二极管);2、 二极管与门电路;3、 二极管或门电路;二. 二极管的微变等效电路;电路波形分析;1.2.5 稳压二极管;（2）稳定电流IZ;稳压二极管的应用举例：P25;限流电阻R的取值范围为114 ~ 227 Ω;一、 发光二极管;二、 光电二极管;结构特点：;b;1.3.2 晶体管的电流放大作用;b;二、晶体管的电流分配关系;要使三极管能放大电流，必须使发射结正偏，集电结反偏。;IB;1.3.3 晶体管的共射特性曲线;一、输入特性曲线;二、输出特性曲线;输出特性三个区域的特点:;例1：判断NPN型硅晶体管的工作状态。 UON=0.5v;例2： ?=50， VCC =12V， Rb =70k?，RC =6k?，UBE=0.7V 分析VBB = -2V，2V，5V时晶体管的工作状态。;例2： ?=50， VCC =12V， Rb =70k?，RC =6k?，UBE=0.7V 分析VBB = -2V，2V，5V时晶体管的工作状态。;1.3.4 晶体管的主要参数;2.集-基极反向饱和电流ICBO;3. 基极开路时,集-射极间的穿透电流ICEO;4.集电极最大电流ICM;6. 集电极最大允许功耗PCM;1.3.5 温度对晶体管特性及参数的影响;例：单管放大电路中，电源电压为30V，已知三只管子??参数，请选择合适的管子。;由PNP型三极管组成的基本放大电路：;1.3.6 光电三极管;光电三极管的输出特性曲线;§1.4 场效应管;1.4.1 结型场效应管;一、工作原理（以N沟道为例）;2、UGS(off)UGS0 时，UDS对漏极电流iD的影响;3、UGDUGS(off) 时，UGS对漏极电流iD的控制作用;二、场效应管的输出特性和转移特性曲线;P沟道结型场效应管;预夹断曲线; 结型场效应管的缺点：;1.4.2 绝缘栅型场效应管;1、MOS管的工作原理;UDS增加（未夹断） iD增加UGDUGS(th) ;2、 N沟道增强型MOS管的特性曲线;N 沟道耗尽型;场效应管的符号及特性;五、 场效应管的主要参数;1.4.4 场效应管与晶体管的比较