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国家标准《半导体材料牌号表示方法》 （送审稿）编制说明 工作简况 立项目的及意义 《半导体材料牌号表示方法》国家标准是1993年起草并发布实施的，该标准中规定了半导体多晶、单晶、晶片和外延片产品牌号的表示方法。 近些年，随着科学技术的飞速发展，半导体材料产品种类逐步增加，有的也已经被新的品种所替代，特别是目前多晶硅的生产方法主要分为三氯氢硅法、硅烷法和流化床法，与原来的铸造法不同；多晶硅用途主要分为半导体电子级和太阳能级；多晶的形状也增加了颗粒状多晶硅等等。为此原来的牌号表示方法难以区分，还有半导体材料中也有碳化硅材料、砷化镓材料等都未列入标准的范围，为了规范这些半导体材料牌号的表示方法，更好地为半导体材料生产企业服务，提出修订该标准。 本修订标准扩展了原标准的适用范围，有较强的适用性，将更为完整、先进，更好地满足半导体材料产业发展的需要。 任务来源 编制单位简况 仪器设备设备配备齐全主要工作过程 完成稿的编写工作全国有色金属标准化技术委员会在《》共有、等个单位位参加了本次会议。： “本标准规定了半导体多晶、单晶、晶片、外延片、碳化硅、砷化镓产品牌号的表示方法”修改为“本标准规定了半导体多晶、单晶、晶片、外延片等产品牌号的表示方法”。理由是单晶、晶片包含了碳化硅和砷化镓的单晶，及碳化硅和砷化镓的晶片； (2)将3.1.1中生产方法和用途分成二项，防止同时需要生产方法和用途的编号时发生重合； (3)在3.1.2中增加分子式表示多晶名称,如硅Si、锗Ge等。目的是便于编号方法的理解和使用； (4)增加3.1.3d)其它多晶形状表示形式参照以上方法进行； (5)删除“3.1.4牌号的第四项中括号内的元素符号表示掺杂剂”。理由是目前多晶硅的生产中均不使用掺杂剂； (6)在3.2.4中增加例如：晶向〈111〉、〈100〉和〈110〉等； (7)删除3.3.1中“另外以下英文第一个字母组合的大写形式表示为：CCD表示用于制作电荷耦合器件的晶片；IC表示用于制作集成电路器件的晶片；DD表示用于制作分立器件的晶片；SC表示用于制作太阳能电池器件的晶片”； (8)删除3.3.3中的吸杂片，增加退火片； (9)增加3.4.3中衬底掺杂剂元素的表示方法，例如掺磷P、掺锑Sb、掺砷As、掺硼B等； (10)将3.4.5中“VPE-Si-n/n+(P/Sb)-〈100〉”修改为“VPE-Si-n/n+(Sb)-〈100〉”、“LPE-GaAs-n/n+ (Sn/Te)-〈100〉”修改为“LPE-GaAs-n/n+ (Te)-〈100〉”； (11)增加各字母表示方法的附录。 会后，标准编制组对标准进行了修订，2016年月日，由全国组织，在召开标准会，共有、等个单位位参加了本次会议。： 会后，标准编制组对标准进行了修订，本标准编制的原则和主要内容 标准编制原则 本标准的主要内容 本标准规定了半导体多晶、单晶、晶片外延片产品牌号表示方法。在全国半导体材料标准化技术委员会的组织下，成立了标准编制组，由总工程师任组长。标准编制组充分调研了的使用要求，的前提下，完成了《》标准的修订。 牌号，是给材料的名称。我国材料的牌号，不仅明材料的具体品种，反映出化学成分而且可以根据大致判断其。这样牌号就简便地提供了具体材料的共同概念，从而为生产、使用和管理等工作带来很大方便。 3.1 修改了适用范围，规范了标准适用性的描述。本次修订将“本标准适用于编制半导体材料的牌号。在编写国家标准和行业标准时，应采用本标准所规定的牌号表示方法。产品出厂时，应使用本标准规定的牌号标志”（1993版的第1章）改为“本标准适用于半导体多晶、单晶、晶片、外延片，其他半导体材料牌号表示可参照执行。”（见第1章）。 3.2 原标准中多晶牌号的第一项是把生产方法或特殊用途放在一起，在实际使用中，经常会遇到二个都需要的提前下，不知道该写那个比较好，原来的牌号表示方法难以区分，为此修订后将原3.1.1中生产方法和用途分成二项，防止同时需要生产方法和用途的编号时发生重合；并对牌号表示方法排序进行调整，把名称放在第一项，生产方法调到第二项（见3.1，1993版的3.