[工学]Lecture 11 主存储器.pptVIP

高级DRAM（自学） CDRAM，带高速缓冲存储器（cache）的动态存储器 在通常的DRAM芯片内又集成了一个小容量的SRAM 高级DRAM（自学） SDRAM，同步型动态存储器 CPU使用的是系统时钟，SDRAM的操作要求与系统时钟相同步，在系统时钟的控制下从CPU获得地址、数据和控制信息。 DDR, Double Data Rate双倍速率同步固态随机处理器, DDR SDRAM SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据，它是在时钟的上升期进行数据传输；而DDR内存则是一个时钟周期内传输两次次数据，它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据 DRAM主存读写正确性校验 自学 只读存储器和闪速存储器(自学) 只读存储器和闪速存储器 DRAM和SRAM均为可任意读／写的随机存储器，当掉电时，所存储的内容立即消失，所以是易失性存储器。而半导体ROM存储器，即使停电，所存储的内容也不会丢失。 只读存储器和闪速存储器 掩模式只读存储器 PROM EPROM E2PROM FLASH　Memory 主要了解各种只读存储器的特点 只读存储器和闪速存储器 掩模式只读存储器(ROM) 掩模式ROM由芯片制造商在制造时写入内容，以后只能读而不能再写入。 其基本存储原理是以元件的“有／无”来表示该存储单元的信息(“1”或“0”)，可以用二极管或晶体管作为元件，其存储内容是不会改变的。 只读存储器和闪速存储器 PROM (一次性编程) 刚出厂的产品，其熔丝是全部接通的，使用前，用户根据需要断开某些单元的熔丝(写入)。断开后的熔丝是不能再接通了，因此，它是一次性写入的存储器。掉电后不会影响其所存储的内容。 VCC 行线 列线 熔丝 熔丝断 为 “0” 为 “1” 熔丝未断 只读存储器和闪速存储器 EPROM (可擦除，可多次编程 ) EPROM存储元用浮置栅中有无电子来分别代表“1”和“0”信息，在出厂时浮置栅中无电子，所有位线输出均为“1”信息。 写“0”时，在D、S间加25V高压，外加编程脉冲(宽50ms)，被选中的单元在高压的作用下被注入电子，EPROM管导通，位线输出“0”信息，即使掉电，信息仍保存。 当EPROM中的内容需要改写时，先将其全部内容擦除，然后再编程。擦除是靠紫外线使浮置栅上电荷泄漏而实现的 S G D N + N + P 基片 G D S 浮动栅 　 SiO 2 + + + + + _ _ _ 只读存储器和闪速存储器 EEPROM，E2PROM(电擦除) 电可擦写 局部擦写 全部擦写 只读存储器和闪速存储器 Flash Memory是在EPROM与E2PROM基础上发展起来的，它与EPROM一样，用单管来存储一位信息，它与E2PROM相同之处是用电来擦除。 快擦除读写存储器兼有ROM和RAM两者的性能，又有ROM、DRAM一样的高密度。 目前价格已略低于DRAM，芯片容量已接近于DRAM，是唯一具有大存储量、非易失性、低价格、可在线改写和高速度(读)等特性的存储器。它是近年来发展很快很有前途的存储器。 几种主要存储器的应用 SRAM　　　 cache DRAM 计算机主存储器 ROM 固定程序、微程序控制存储器 PROM 用户自编程序、用于工业控制机或电器中 EPROM 用户编写并可修改程序、产品试制阶段试 编程序 E2PROM IC卡 Flash Memory 固态盘、IC卡 作业11 试用Intel 2116(16K*1) 存贮器读／写周期均为0.5μs，若芯片内部存储元排列成128*128的矩阵，芯片刷新周期2ms (1) 采用分布刷新方式，如单元刷新间隔不超过２ms，则刷新信号周期是多少？对全部存储单元刷新一遍，所需要的实际刷新时间是多少？ (2) 如采用集中刷新方式，存储器刷新一遍最少用多少读／写周期？死时间率是多少？ (3) 分析分布式刷新、分散式刷新及集中刷新的特点 (SRAM与DRAM对照讲) * 以上只是信号之间的逻辑关系。信号之间的时间关系是什么？ * 1.写信号有效前地址必须先有效，写信号结束后地址才能结束。 2.写结束前数据先有效，结束后数据要保持一段时间； 3.写信号要维持一段时间。 3.片选信号通常比地址信号来得晚，并且有维持一段时间。 * 自学，参考数字逻辑课程 * * 自学 * 课程结构 磁盘、磁带、光盘 高速缓冲存储器（Cache） Flash Memory 存 储 器 主存储器 辅助存储器 ROM PROM EPROM EEPROM RAM ROM 静态 RAM 动态 RAM 按在计算机中的作用分类 存储器的分类 SRAM存储器 SRAM存储器 SRAM的存储单元(自学） SRAM的逻辑结构 SRAM的时序 A′ 触发器非端 1 T 4 T ~ 触发器