[工学]第三章 失效机制.pptVIP

IC工艺和版图设计 第三章 失效机制 参考文献 本章主要内容 电过应力 电过应力 电过应力 电过应力 电过应力 电过应力 电过应力 电过应力 电过应力 电过应力 电过应力 电过应力 电过应力 电过应力 电过应力 电过应力 玷污 玷污 玷污 玷污 玷污 玷污 玷污 玷污 表面效应 表面效应 表面效应 表面效应 表面效应 表面效应 表面效应 表面效应 表面效应 表面效应 表面效应 表面效应 表面效应 表面效应 表面效应 寄生效应 寄生效应 寄生效应 寄生效应 寄生效应 寄生效应 寄生效应 寄生效应 寄生效应 寄生效应 寄生效应 表 面 效 应 热载流子注入 寄生沟道和电荷分散 齐纳蠕变 热载流子注入 当MOSFET工作在饱和区时，沟道发生夹断，结果在夹断区出现了强横的电场。随着电压的升高，夹断区会增加，但是该效应不足补偿增大的漏源电压，因此使得电场强度增大，电场使穿越夹断区的载流子加速，产生可能注入到氧化层的载流子，这些热电子在空间电荷区加速后会与晶格原子发生碰撞，散射电子部分向上运动，产生微弱的栅电流。散射空穴会沿反向运动，从衬底部分流出。 热载流子注入引起了氧化层对于的电荷的积累，所以该效应导致了MOS管阈值电压的漂移。NMOS的阈值电压增加，PMOS的阈值电压减少。 热载流子注入 注入栅氧化层的热电子使阈值电压发生偏移 碰撞电离产生的空穴流出沟道并进入衬底 夹断区的强电场产生热电子 夹断区热电子 热载流子注入 在设计中可以通过重新设计器件、选择器件工作条件或改变器件尺寸都可以有效减少阈值电压漂移 1.加宽夹断区可以减少电场强度， ①加宽夹断区的方法主要是减少漏极附近的掺杂浓度，目前高压器件一般使用这种方法。 ②减少漏极附近的掺杂浓度也可以减小峰值电场强度，现代工艺使用的LDD结构就采用这种方法。 2.适当选取工作条件减小热载流子注入。 3.使用长沟道器件可以减少热载流子的影响。 齐纳蠕变 热载流子的注入不仅会影响MOS管的性能，还会对齐纳二极管和双极管产生影响。 雪崩会产生大量的热载流子，产生的部分载流子注入到上层氧化物中，产生氧化层固定电荷，这种现象将使静电感应表面耗尽区逐渐变宽，雪崩击穿电压逐渐增加，该现象称为齐纳蠕变。 窄耗尽区使局部场强增大，产生热空穴 热载流子注入氧化层 氧化层固定电荷 耗尽层加宽，击穿移到表面以下，蠕变停止 开始蠕变 长时间工作后 寄生沟道和电荷分散 穿越轻掺杂的N型区的连线可以形成PMOS的寄生沟道，金属连线成为寄生器件的栅极，N型隔离岛形成衬底，基区构成寄生器件的源端，隔离区形成漏区，只要栅和源端的电压差超过寄生器件的阈值电压时，就会形成导电沟道。 P N-epi P 寄生沟道和电荷分散 穿越轻掺杂P型区的连线下可以形成NMOS的寄生沟道，连线作为栅极，外延层作为衬底，相邻的阱作为源区和漏区。当栅极的电位比源区的电位高出NMOS的厚氧阈值时就会形成沟道。 寄生沟道和电荷分散 偏压长时间工作前 偏压长时间工作后 不仅导体下可以产生寄生沟道，当有合适的源区和漏区时，即使没有导体作为栅极，沟道也能形成。这种沟道形成的潜在机制称为电荷分散。产生机制主要是绝缘层中存在的电子趋向隔离岛迁移，积累了诱发产生沟道所需的足量电子。 寄生沟道和电荷分散 易产生寄生PMOS沟道的版图例子 如图所示：HSR电阻所在的隔离岛连接电源正端VDD以保证隔离，有条导线跨过隔离岛，一旦电阻和低压连线的压降高于PMOS厚阈值电压以上时，连线下将形成寄生PMOS沟道。导致电流从寄生沟道从电阻流向隔离区。 寄生沟道和电荷分散 使用N+沟道终止来阻止沟道的形成，N+延伸出连线的两侧，这种延伸将断开沟道。注意该方法可以防止连线下沟道形成，但是不能阻止电荷分散。 寄生沟道和电荷分散 低压连线被重新布线，大片金属覆盖电阻体上并与电阻正端相连。导体版的存在阻止了静态电荷的积累，抑制了电荷分散效应，而且通过静电屏蔽，有助于防止防止上层连线的噪声。 寄生沟道和电荷分散 改进方案：使用凸边场板和沟道终止相结合的方案 寄生沟道和电荷分散 局部场板方案：随着电阻压降降低，寄生MOSFET的栅源电压不足以产生沟道时，可以使用局部场板。 寄生沟道和电荷分散 当多晶栅连线穿越出N阱到达P衬底时，如果偏置电压超过厚场阈值也会诱发寄生沟道。如图所示的一个由多晶硅连线组成的易受影响的结构，多晶硅连线从高压PMOS延伸通过N阱进入周围的隔离区。N阱构成寄生PMOS的衬底，多晶硅构成栅，PMOS的有源区构