2016 高级微电子技术复习提纲_有答案版.docVIP

高级微电子技术复习提纲 2014 请给出下列英文缩写的英文全文，并译出中文：BJT、HBT、BiCMOS、VDMOS、IGBT、ESD、EEPROM、Flash、CPLD、FPGA、LUT、IP、SoC。 + FINFET TMOS RMOS ALD 答：BJT：Bipolar Junction Transistor 双极结型晶体管 HBT：Hetero-junction Bipolar Transistor 异质结双极晶体管 BiCMOS：bipolar complementary metal oxide semiconductor? 双极互补金属氧化半导体? VDMOS：垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管VDMOSFET (vertical double-diffused MOSFET) IGBT:(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管 ESD:(Electro-Static discharge）静电释放 EEPROM:(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)，电可擦可编程只读存储器 (Complex Programmable Logic Device)复杂可编程逻辑器件（Field－Programmable Gate Array），即现场可编程门阵列 显示查找表（Look-Up-Table) Refractory MOSFET 耐熔金属半导体场效应管 ALD ：Atomic Layer Deposition 原子层沉积 试述AGC BJT器件实现AGC特性的工作原理; 试说明为什么AGC BJT的工作频率范围受限。 答：大注入基区扩展 ；因为基区增大，BJT的工作频率 AGC双极型晶体管利用大注入效应。在大电流下基区产生大注入效应，使增益降低、输出不至于过高，达到自动增益控制的目的。? 自动增益控制特性与频率特性是相矛盾:? 1)?实现AGC需要基区展宽，而器件的工作频率与基区宽度的平方成反比，使得工作频率范围受限；? 2)?实现AGC要求基区大注入,基区掺杂浓度低时，易于发生大注入效应，而基区掺杂浓度动愈低，器件高频噪声愈差，使得工作频率范围受限。 为什么双栅MOSFET具有良好的超高频(UHF)特性？ 答：消除了密勒效应 ，栅上损耗小（耐熔金属栅） 双栅MOSFET具有相互独立的两个栅电极，大幅减小了密勒效应，使反馈电容比普通MOSFET低两个数量级以上，从而有良好的超高频特性 为什么硅栅、耐熔金属栅能实现源漏自对准，而铝栅不行？实现源漏自对准的目的是什么？ 答：铝栅的熔点较低，在高温下对有源区进行扩散时铝会熔化，不能实现自对准工艺。而套刻工艺难度随器件缩小越难至无法实现。? 减小其中MOSFET的寄生电容，提高工作频率和速度。 试用“深掏滩，低垒堰”的思想说明“在IC中利用密勒效应来获得大电容”的发明的聪明之处。IC中利用密勒效应来获得大电容的目的是什么？ 聪明之处：化不利为有利，化腐朽为神奇。? （1）采用较小的电容即获得较大的电容，避免大电容的制作，减小芯片面积；?（2）通过控制电压或电流的放大倍数，获得可控电容。 试举4个以上例子说明：在模拟IC或模拟电路中，电容通常所起的作用。 在BJT共射放大电路的设计中，常在串联发射集电阻Re的同时并联大的旁路电容，从而在不影响电压放大倍数的情况下，提高输入电阻；? 振荡电路的设计中通过电阻和电容组成移相电路，使电路满足振荡的相位平衡条件；?在运算放大器的设计中利用电容和电阻组成求和，积分等运算电路；? 整流电路的设计中利用电容的充放电效应设计滤波整流电路，将交流电变换成直流电。 试说明如何仅用一张光刻版制作BJT和MOSFET？ 答：因为MOS管的阈值电压UTH对工艺过程和器件尺寸非常敏感，而BJT器件的开启电压UBE比UTH更容易精确控制，所以BJT器件更容易得到性能良好的匹配对管，使开启电压固定。 为什么说“BJT的开启电压固定，MOS的开启电压难于精确控制”？ 答：因为MOS管的阈值电压UTH对工艺过程和器件尺寸非常敏感，而BJT器件的开启电压UBE比UTH更容易精确控制，所以BJT器件更容易得到性能良好的匹配对管，使开启电压固定。 在相同工艺水平条件下，例如同为1um工艺，BJT与CMOS 相比较，BJT的工作频率更高, 其原因是什么？由此, 能否说明“少子器件不一定比多子器件慢”？ 在1um工艺下，基区宽度较宽，对CMOS而言，寄身电容和栅电容较大，BJT与CMOS?相比较，BJT的工作频率更高。速度受迁移率的影响，BJT的体迁移率远大于?MOSFET的表面迁移率，因此跨导更大，速度更快。????不能，随着集成度的提高，C